[发明专利]高阶温度补偿CMOS带隙基准电压源

权利要求书

1.一种高阶温度补偿CMOS带隙基准电压源，其特征在于：包括启动电路、带隙主体电路、反馈控制回路及输出电路，所述的启动电路使该基准电压源在上电时摆脱简并点的束缚而正常工作、并为所述的带隙主体电路、所述的反馈控制回路提供启动电压，所述的带隙主体电路产生一个带正温度系数电流，该带正温度系数电流由所述的带隙主体电路镜像至所述的反馈控制回路中而产生另一个带负温度系数电流，这两个带相反温度系数电流同比镜像至所述的反馈控制回路和所述的输出电路中，所述的反馈控制回路中引入一个电阻以实现高阶温度补偿，在该电阻上产生高阶补偿电流，两个同比镜像后的电流与高阶补偿电流叠加后镜像至所述的输出电路中的输出负载电阻上而得到与温度无关的基准电压Vref。

2.根据权利要求1所述的高阶温度补偿CMOS带隙基准电压源，其特征在于：所述的启动电路为：电阻R8连接在供电电压VCC与NMOS管M23的漏极之间，NMOS管M23的栅极与PMOS管M25的栅极共接至NMOS管M23的漏极，PMOS管M25的源极接至供电电压VCC，NMOS管M23的源极接至NMOS管M24的漏极，NMOS管M24的源极接至地端，NMOS管M24的栅极接至带隙基准电压Vref。

3.根据权利要求2所述的高阶温度补偿CMOS带隙基准电压源，其特征在于：所述的带隙主体电路为：PMOS管M9的栅极与PMOS管M10的栅极共接，PMOS管M9的源极、PMOS管M10的源极共接至供电电压VCC，PMOS管M9的漏极接至PMOS管M17的源极，PMOS管M10的漏极接至PMOS管M18的源极，PMOS管M17的栅极与PMOS管M18的栅极共接，PMOS管M17的漏极通过电阻R6接至NMOS管M1的漏极，PMOS管M18的漏极通过电阻R5接至NMOS管M2的漏极，NMOS管M1的栅极与NMOS管M2的栅极共接，NMOS管M1的源极接至NMOS管M4的漏极，NMOS管M2的源极接至NMOS管M5的漏极，NMOS管M4的栅极与NMOS管M5的栅极，NMOS管M4的源极接至三极管Q1的发射极，三极管Q1的基极和集电极共接至地端，NMOS管M5的源极通过电阻R1接至三极管Q2的发射极，三极管Q2的基极和集电极共接至地端，PMOS管M18的漏极与PMOS管M9的栅极相短接，NMOS管M2的漏极与PMOS管M17的栅极相短接，PMOS管M17的漏极与NMOS管M1的栅极相短接，NMOS管M1的漏极与NMOS管M4的栅极相短接，PMOS管M17的漏极接至PMOS管M25的漏极。

4.根据权利要求3所述的高阶温度补偿CMOS带隙基准电压源，其特征在于：所述的反馈控制回路为：PMOS管M8的栅极与PMOS管M11的栅极共接、并与PMOS管M9共栅，PMOS管M16的栅极与PMOS管M19的栅极共接、并与PMOS管M17共栅，PMOS管M8的源极接至供电电压VCC、漏极接至PMOS管M16的源极，PMOS管M11的源极接至供电电源VCC、漏极接至PMOS管M19的源极，PMOS管M12的源极接至供电电压VCC、栅极接至PMOS管M19的漏极，PMOS管M13的源极接至供电电压VCC、栅极接至PMOS管M12的栅极共接，PMOS管M0的源极接至供电电压VCC、栅极接至PMOS管M12的漏极、漏极通过电阻R7接至地端，PMOS管M20的栅极接至PMOS管M0的漏极、源极接至PMOS管M12的漏极，PMOS管M21的源极接至PMOS管M13的漏极、栅极与PMOS管M20的栅极共接，NMOS管M3的漏极接至PMOS管M19的漏极、栅极与NMOS管M1的栅极共接，NMOS管M6的漏极接至NMOS管M3的源极、栅极与NMOS管M4的栅极共接，NMOS管M6的源极通过电阻R2接至地端，NMOS管M3的漏极与NMOS管M6的源极之间连接有频率补偿电容C0，PMOS管M21的漏极接至三极管Q3的发射极，三极管Q3的基极和集电极共接至地端，PMOS管M20的漏极通过电阻R3接至三极管Q3的发射极，PMOS管M20的漏极接至NMOS管M6的源极，PMOS管M16的漏极与PMOS管M21的漏极相短接。

5.根据权利要求4所述的高阶温度补偿CMOS带隙基准电压源，其特征在于：所述的输出电路为：PMOS管M7的源极接至供电电压VCC、栅极与PMOS管M9的栅极共接，PMOS管M15的源极接至PMOS管M7的漏极、栅极与PMOS管M17的栅极共接，PMOS管M14的源极接至供电电压VCC、栅极与PMOS管M12的栅极共接，PMOS管M22的源极接至PMOS管M14的漏极、栅极与PMOS管M20的栅极共接，PMOS管M22的漏极通过电阻R4接至地端，PMOS管M15的漏极接至PMOS管M22的漏极，从电阻R4的两端输出与温度无关的基准电压Vref。