[发明专利]一种固体继电器无效
申请号: | 201110333876.4 | 申请日: | 2011-10-28 |
公开(公告)号: | CN102332900A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 张有润;吴浩然;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03K17/56 | 分类号: | H03K17/56 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 周永宏 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 固体 继电器 | ||
1.一种固体继电器,包括,
一个接着继电器输入端子之间的发光元件;
一个耦合发光元件光信号时,产生光伏输出的光伏二极管阵列;
一个或两个接在继电器输出端子之间的常开型金属氧化物场效应晶体管;
其特征在于,还包括,
一个由光电晶体管、电阻组成的充电电路,其中,光电晶体管的发射极接输出常开型金属氧化物场效应晶体管的栅极,集电极接在光伏二极管阵列的第一端,所述电阻接在输出常开型金属氧化物场效应晶体管的源极和光伏二极管阵列的第二端之间;
一个由PNP三极管、N沟道耗尽型金属场效应晶体管和两个电阻组成的加速泄放电路,其中,PNP三极管经一个电阻接常开型金属氧化物场效应晶体管的栅极,集电极接在光伏二极管阵列的第二端,基极接光伏二极管阵列的第一端,N沟道耗尽型金属氧化物场效应晶体管的漏极经一个电阻接常开型金属氧化物场效应晶体管的栅极,源极与衬底接在常开型金属氧化物场效应晶体管的源极,栅极接在光伏二极管阵列的第二端。
2.根据权利要求1所述的固体继电器,其特征在于,还包括一光敏电阻,所述光敏电阻连接在所述充电电路的电阻和所述N沟道耗尽型金属场效应晶体管源极之间。
3.根据权利要求1或2所述的固体继电器,其特征在于,接在继电器输出端子之间的常开型金属氧化物场效应晶体管为两个,其中,两个常开型金属氧化物场效应晶体管的源极相连,作为所述继电器的第三输出端子;两个漏极分别作为所述继电器的第一、第二输出端子。
4.根据权利要求1或2所述的固体继电器,其特征在于,金属氧化物场效应晶体管为N沟道增强型。
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