[发明专利]用于形成自对准通孔的T形金属硬掩膜有效
| 申请号： | 201110334644.0 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103094181A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王新鹏;王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 形成 对准 金属 硬掩膜 | ||
1.一种用于形成自对准通孔的T形金属硬掩膜的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有绝缘层；
在所述绝缘层上依次沉积第一金属硬掩膜层和第二金属硬掩膜层，所述第一金属硬掩膜层的被蚀刻率大于所述第二金属硬掩膜层的被蚀刻率；
蚀刻所述第二金属硬掩膜层和所述第一金属硬掩膜层，以形成所述T形金属硬掩膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层为具有低介电常数的材料层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属硬掩膜层的材料为Al，所述第二金属硬掩膜层的材料为TiN。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属硬掩膜层的材料为掺杂的TiN，所述第二金属硬掩膜层的材料为TiN。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，采用离子注入工艺实施所述掺杂。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述掺杂的元素为碳或铜。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二金属硬掩膜层的厚度为所述T形金属硬掩膜层的厚度的三分之一至二分之一。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二金属硬掩膜层与所述第一金属硬掩膜层的厚度总和为100-500埃。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻为干法蚀刻。
10.一种用于形成自对准通孔的T形金属硬掩膜的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有绝缘层；
在所述绝缘层上形成一牺牲层；
在所述牺牲层中形成至少两个T形沟槽；
沉积一金属硬掩膜层，以填充所述T型沟槽；
研磨所述金属硬掩膜层，直至露出所述牺牲层；
去除所述牺牲层，以形成所述T形金属硬掩膜。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述绝缘层为具有低介电常数的材料层。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述T型沟槽顶部的凹槽的深度为整个T型沟槽深度的三分之一至二分之一。
13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述T型沟槽的深度为100-500埃。
14.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述金属硬掩膜层的材料为TiN。
15.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述金属硬掩膜层的材料为BN。
16.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氮化硅。
17.一种用于形成自对准通孔的T形金属硬掩膜，其特征在于，所述T形金属硬掩膜由权利要求1-16之一所述的方法形成。
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