[发明专利]多晶硅还原系统及其还原气体原料的进料方式

权利要求书

1.一种为至少两个多晶硅还原炉分别直接提供多晶硅还原气体原料的方法，包括：

利用氢气在三氯氢硅液体中鼓泡并同时进行外部加热使三氯氢硅液体汽化而得到氢气和三氯氢硅的摩尔比为固定值的混合气体；

将所述混合气体分为第一路混合气体和第二路混合气体；

另外提供氢气并将其加热后分为第一路加热氢气和第二路加热氢气；

将第一路加热氢气与第一路混合气体混合得到氢气和三氯氢硅的摩尔比为第一预定值的多晶硅还原气体原料后直接通入第一多晶硅还原炉；以及

将第二路加热氢气与第二路混合气体混合得到氢气和三氯氢硅的摩尔比为第二预定值的多晶硅还原气体原料后直接通入第二多晶硅还原炉；

其中所述固定值小于所述第一预定值以及所述第二预定值。

2.权利要求1的方法，其中所述第一预定值和所述第二预定值均在3.5∶1至4.5∶1之间。

3.权利要求2的方法，其中所述固定值为3∶1。

4.权利要求1的方法，所述第一预定值和所述第二预定值相等。

5.权利要求1的方法，所述第一预定值和所述第二预定值不等。

6.权利要求1的方法，其中通过控制混合气体的温度和压力来得到氢气和三氯氢硅的摩尔比为固定值的混合气体。

7.权利要求1的方法，其中通过分别控制第一路加热氢气的流量以及第一路混合气体的流量来得到氢气和三氯氢硅的摩尔比为第一预定值的多晶硅还原气体原料；并且通过分别控制第二路加热氢气的流量以及第二路混合气体的流量来得到氢气和三氯氢硅的摩尔比为第二预定值的多晶硅还原气体原料。

8.一种多晶硅还原系统，包括：

鼓泡式汽化器；

氢气加热器；

分别与鼓泡式汽化器和氢气加热器相连的多个静态混合器；以及

分别与相应的静态混合器相连的多个多晶硅还原炉。

9.权利要求8的多晶硅还原系统，还包括与所述多个多晶硅还原炉均相连的尾气回收系统。

10.权利要求8的多晶硅还原系统，其中静态混合器分别通过相应的流量调节阀与鼓泡式汽化器和氢气加热器相连。