[发明专利]太阳能电池的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，且尤其涉及一种具有良好效率的太阳能电池的制造方法。

背景技术

硅基太阳能电池为业界常见的一种太阳能电池。硅基太阳能电池的原理是将高纯度的半导体材料(硅)加入掺质使其呈现不同的性质，以形成p型半导体及n型半导体，并将pn两型半导体相接合，如此即可形成一p-n接面。当太阳光照射到一个p-n结构的半导体时，光子所提供的能量可能会把半导体中的电子激发出来产生电子-电洞对。通过分别于p型半导体及n型半导体上设置电极，使空穴往电场的方向移动并使电子则往相反的方向移动，如此即可构成太阳能电池。

一般来说，为了提供半导体层与电极之间具有更良好的接触特性，会在淡掺杂半导体层中形成重掺杂选择性射极。如此一来，可以进一步降低电池的串联电阻并使电池具有更高效率。然而，由于重掺杂选择性射极与淡掺杂半导体层通常是通过掺杂同一种掺质所形成的，因而两者之间的差异性不明显，导致太阳能电池的效率难以借此进一步提升。

发明内容

本发明提供一种太阳能电池的制造方法，使得太阳能电池具有较佳的效率。

本发明提出一种太阳能电池的制造方法。提供一第一型基底，其具有一第一表面与一第二表面。使用一第一掺质对第一型基底的第一表面进行一第一掺杂工艺，以形成一第一型淡掺杂层。使用一第二掺质对部分第一型淡掺杂层进行一第二掺杂工艺，以形成一第二型重掺杂区，其中第二掺质的原子量大于第一掺质的原子量，第一掺杂工艺的温度高于第二掺杂工艺的温度。于第二型重掺杂区上形成一第一电极。于第一型基底的第二表面上形成一第二电极。

其中，该第一型为p型，以及该第二型为n型。

其中，该第一掺质包括P。

其中，该第二掺质包括As与Sb。

其中，该第一掺质包括As。

其中，该第二掺质包括Sb。

其中，该第一型为n型，以及该第二型为p型。

其中，该第一掺杂工艺的温度介于800℃与1000℃之间。

其中，该第二掺杂工艺的温度介于700℃与900℃之间。

其中，该第一掺杂工艺的温度介于800℃与1000℃之间。

其中，该第二掺杂工艺的温度介于700℃与900之间。

其中，该第二型重掺杂区的形成方法包括：于该第一型淡掺杂层上形成一掩膜层，该掩膜层具有暴露出该部分第一型淡掺杂层的一开口；以及以该掩膜层为掩膜，经由该开口对该部分第一型淡掺杂层进行该第二掺杂工艺。

其中，该掩膜层包括一抗反射层。

其中，更包括移除该掩膜层。

其中，该第一电极的材料包括银或钛钯银。

其中，该第二电极的材料包括铝。

其中，该第二型重掺杂区的厚度为0.1微米至0.15微米。

基于上述，在本发明的太阳能电池的制造方法中，使用第一掺质形成淡掺杂层，以及使用第二掺质于淡掺杂层中形成重掺杂区，其中第二掺质的原子量大于第一掺质的原子量且第二掺质的掺杂温度低于第一掺质的掺杂温度。如此一来，能于淡掺杂层中清楚地定义深度较浅的重掺杂区，使得作为选择性射极的重掺杂区能对电极提供良好的欧姆接触，进而有效地提升太阳能电池中的再结合效率，使得太阳能电池具有较佳的效率。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1A至图1F为本发明的一实施例的太阳能电池的制造方法的流程示意图。

其中，附图标记：

100：太阳能电池

102：第一型基底

102a、102b：表面

104：第一型淡掺杂层

106：掩膜层

106a：开口

108：第二型重掺杂区

110、120：电极

122：后表面场层

DP1、DP2：掺杂工艺

具体实施方式