[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

一基板；

一栅极，配置于该基板上；

一栅绝缘层，配置于该栅极上；

一源极与一漏极，配置于该栅绝缘层上；

一通道层，位于该源极与该漏极上方或下方，其中该通道层的一部分暴露于该源极与该漏极之间；以及

一第一图案化保护层，配置于该通道层的该部分上，其中该第一图案化保护层的材料包括一金属氧化物，且该第一图案化保护层的厚度为50埃至300埃。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该金属氧化物包括氧化铝、氧化钛、氧化铪或氧化钽。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，更包括一第二图案化保护层，覆盖该第一图案化保护层、该栅绝缘层以及该源极与该漏极，其中该第二图案化保护层的材料包括一有机绝缘材料。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，该有机绝缘材料包括丙烯酸聚合物、环烯烃聚合物、环氧树脂、硅氧烷、氟聚合物或其组合。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第二图案化保护层的厚度为0.2微米至3微米。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该通道层的材料包括氧化铟镓锌、氧化锌、氧化锡或二氧化锡。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该通道层位于该源极与该漏极上方，且位于该第一图案化保护层与该源极与该漏极之间。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该通道层位于该源极与该漏极下方，且位于该栅绝缘层与该源极与该漏极之间。

9.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成一栅极；

于该栅极上形成一栅绝缘层；

于该栅绝缘层上形成一源极与一漏极；

形成一通道层，且该通道层位于该源极与该漏极上方或下方，其中该通道层的一部分暴露于该源极与该漏极之间；以及

于该通道层的该部分上形成一第一图案化保护层，其中该第一图案化保护层的材料包括一金属氧化物，且该第一图案化保护层的厚度为50埃至300埃。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该通道层与该第一图案化保护层的形成方法包括：

于该源极与该漏极上形成该通道层；以及

于该通道层上形成该第一图案化保护层。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该通道层与该第一图案化保护层的形成方法包括：

于该源极与该漏极上形成一通道材料层；

于该通道材料层上形成一第一保护材料层；

于该第一保护材料层上形成一掩膜层；以及

以该掩膜层为掩膜，图案化该通道材料层与该第一保护材料层，以形成该通道层与该第一图案化保护层。

12.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该通道层、该源极与该漏极以及该第一图案化保护层的形成方法包括：

于该栅绝缘层上形成该通道层；

于该通道层上形成该源极与该漏极；以及

于该通道层的该部分上形成该第一图案化保护层。

13.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该金属氧化物包括氧化铝、氧化钛、氧化铪或氧化钽。

14.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该第一图案化保护层的厚度为100埃。

15.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该通道层的材料包括氧化铟镓锌。

16.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，更包括形成一第二图案化保护层，以覆盖该第一图案化保护层、该栅绝缘层以及该源极与该漏极，其中该第二图案化保护层的材料包括一有机绝缘材料。