[发明专利]PECVD法制备双面异质结太阳能电池的团簇式设备和工艺

权利要求书

1.一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的团簇式设备，包括沉积腔室、硅片承载架、气路控制系统、电控系统及真空机组，沉积腔室分别与气路控制系统、电控系统及真空机组连接，电控系统与气路控制系统连接；硅片承载架用于承载硅片进出沉积腔室；其特征在于：

所述的沉积腔室包括团簇式设置的进出片室、预热和中央传送室、本征层沉积室、p型沉积室和n型沉积室，预热和中央传送室设置在中间，进出片室、本征层沉积室、p型沉积室和n型沉积室分别连接在预热和中央传送室的四周；在本征层沉积室、p型沉积室和n型沉积室内分别设有上电极和下电极；在本征层沉积室的上电极和下电极上分别连接有进气口；在p型沉积室的上电极上连接有进气口；在n型沉积室的下电极上连接有进气口；在预热和中央传送室内设有机械手传送机构。

2.根据权利要求1所述的PECVD法制备双面异质结太阳能电池的团簇式设备，其特征在于：所述的本征层沉积室内设有上下移动机构，该上下移动机构与设置在本征层沉积室外的驱动机构连接，上下移动机构在驱动机构的驱动下作上下移动并可带动硅片承载架上下移动。

3.一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的工艺，其特征在于，采用PECVD法制备双面异质结太阳能电池的团簇式设备实施，包括以下步骤：

A、将清洗后的硅片装载在承载架上，放入进出片室，关上进出片室的活动门并抽真空；

B、待真空度达到一定数值后，将承载架传送到预热和中央传送室，并设置温度，进行预加热；

C、预热半个小时后，将承载架传送到本征层沉积室，并抽高真空，然后将承载架移动到与下电极靠在一起，从上电极通入气体源，启动射频电源，对硅片的正面进行本征层的沉积，完成对硅片正面的沉积后，将承载架移至与上电极靠在一起，从下电极通入气体源，启动射频电源，对硅片的背面进行本征层沉积，完成对硅片背面的沉积；

D、完成双面本征层沉积后，将承载架传送到p型沉积室，并抽高真空，让承载架与下电极靠在一起，从上电极通入气体源，启动射频电源，对硅片正面进行p型非晶硅薄膜的沉积；

E、完成p型非晶硅薄膜的沉积后，将承载架传送到n型沉积室，并抽高真空，让承载架与上电极靠在一起，从下电极通入气体源，启动射频电源，对硅片背面进行n型非晶硅薄膜的沉积；

F、完成n型非晶硅薄膜的沉积后，将承载架传送到进出片室，待温度降至室温后，取出硅片，关门抽真空；

G、后续分别利用磁控溅射设备在硅片上双面制备ITO薄膜，并分别在其上蒸发银栅线电极，完成双面异质结太阳能电池的制备。