[发明专利]一种闪速存储器形成方法

权利要求书

1.一种闪速存储器形成方法，包括形成存储单元和外围电路，所述外围电路 包括电阻器，其特征在于，所述存储单元和电阻器的形成步骤包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储单元区域和电阻器区域，所 述半导体衬底表面依次形成有第一介质层和第一多晶硅层；

在所述半导体衬底内形成位于存储单元区域，且贯穿所述第一介质层和 第一多晶硅层的第一隔离结构，位于电阻器区域，且贯穿第一介质层和第一 多晶硅层的第二隔离结构；

在所述第一隔离结构、第二隔离结构、以及第一多晶硅层表面依次形成 第二介质层和第二多晶硅层；

刻蚀所述第二多晶硅层，在存储区域形成控制栅多晶硅层，在电阻器区 域形成电阻器。

2.依据权利要求1所述的闪速存储器形成方法，其特征在于，形成控制栅多 晶硅层和电阻器的步骤包括：

在所述第二多晶硅层表面形成绝缘介质层，刻蚀所述绝缘介质层，在存 储单元区域形成暴露所述第二多晶硅层的第一开口，在电阻器区域形成分别 靠近电阻器区域的两端，且暴露所述第二多晶硅层的第二开口，并形成覆盖 所述第一开口侧壁的第一侧墙和覆盖所述第二开口侧壁的第二侧墙；

沿所述第一开口依次刻蚀所述第二多晶硅层、第二介质层、第一多晶硅 层、第一介质层，直至暴露半导体衬底，形成第三开口；

先在所述第三开口的侧壁形成第三侧墙，再形成填充满所述第三开口的 第三多晶硅层和填充满所述第二开口的第四多晶硅层；

去除位于第二侧墙之间的绝缘介质层，形成第四开口，并形成填充满所 述第四开口的氧化层；

去除剩余的绝缘介质层，形成第五开口，并沿所述第五开口依次刻蚀所 述第二多晶硅层和第二介质层，位于存储器区域的第二多晶硅层和第二介质 层分别形成控制栅多晶硅层和控制栅氧化层，位于电阻器区域的第二多晶硅 层形成电阻器。

3.依据权利要求2所述的闪速存储器形成方法，其特征在于，形成存储单元 的步骤还包括：

在所述控制栅多晶硅层和控制栅氧化层与第一侧墙相背离的侧壁形成第 四侧墙，并以所述第四侧墙为掩膜，依次刻蚀所述第一多晶硅层、第一介质 层，直至暴露半导体衬底，形成浮栅多晶硅层和浮栅氧化层；

在所述浮栅多晶硅层和浮栅氧化层的侧壁，第四侧墙的侧壁，以及与浮 栅氧化层近邻的半导体衬底表面形成隧穿氧化层，在所述隧穿氧化层表面形 成字线。

4.依据权利要求2所述的闪速存储器形成方法，其特征在于，在形成第三多 晶硅层之前，还包括沿所述第三开口向半导体衬底注入掺杂离子，形成源极。

5.依据权利要求3所述的闪速存储器形成方法，其特征在于，形成字线后还 包括：

在所述字线的侧壁形成第五侧墙，并以所述第五侧墙为掩膜，向所述第 五侧墙两侧的半导体衬底注入掺杂离子，形成漏极。

6.依据权利要求5所述的闪速存储器形成方法，其特征在于，还包括：形成 与所述漏极电连接的位线，与所述第三多晶硅层电连接的源线，与所述第四 多晶硅层电连接的导电插塞。

7.依据权利要求1所述的闪速存储器形成方法，其特征在于，所述第一介质 层、第二介质层的材料是二氧化硅。

8.依据权利要求2所述的闪速存储器形成方法，其特征在于，所述绝缘介质 层的材料是氮化硅。

9.依据权利要求5所述的闪速存储器形成方法，其特征在于，所述第一侧墙、 第二侧墙、第三侧墙、第四侧墙、第五侧墙的材料是二氧化硅。