[发明专利]半导体器件制作方法有效
| 申请号： | 201110335315.8 | 申请日： | 2011-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102412198A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 毛智彪;胡友存 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件制作方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括冗余金属区、辅助图形冗余金属区和非冗余金属区；
在所述半导体衬底上形成介质层；
在所述冗余金属区和辅助图形冗余金属区上形成硬掩膜层；
以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述介质层，以形成冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和金属导线槽，所述辅助图形冗余金属槽和冗余金属槽的深度小于所述金属导线槽的深度；
在所述冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和金属导线槽内以及介质层上沉积金属层；
进行化学机械研磨工艺直至暴露出所述介质层的表面，以形成冗余金属线、辅助图形冗余金属线和金属导线，所述辅助图形冗余金属线和冗余金属线的高度小于所述金属导线的高度。
2.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述辅助图形冗余金属区上的硬掩膜层厚度与所述冗余金属区上的硬掩膜层厚度相同。
3.如权利要求2所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述辅助图形冗余金属槽的深度与所述冗余金属槽的深度相同。
4.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述辅助图形冗余金属区上的硬掩膜层厚度与所述冗余金属区上的硬掩膜层厚度不相同。
5.如权利要求4所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述辅助图形冗余金属槽的深度与所述冗余金属槽的深度不相同。
6.如权利要求1至5中任意一项所述的半导体器件制作方法，其特征在于，形成冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和金属导线槽之前，还包括：在所述金属导线槽的对应位置形成通孔。
7.一种半导体器件制作方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括冗余金属区、辅助图形冗余金属区和非冗余金属区；
在所述半导体衬底上形成介质层；
在所述介质层上形成硬掩膜层，并刻蚀所述硬掩膜层，以在冗余金属区上形成硬掩膜冗余槽，在辅助图形冗余金属区上形成硬掩膜辅助图形槽，在非冗余金属区上形成硬掩膜导线槽，所述硬掩膜导线槽暴露出所述介质层，且所述硬掩膜导线槽的深度大于硬掩膜冗余槽和硬掩膜辅助图形槽的深度；
刻蚀剩余的硬掩膜层和介质层，形成冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和金属导线槽，所述辅助图形冗余金属槽和冗余金属槽的深度小于所述金属导线槽的深度；
在所述冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和金属导线槽内以及介质层上沉积金属层；
进行化学机械研磨工艺直至暴露出所述介质层的表面，以形成冗余金属线、辅助图形冗余金属线和金属导线，所述辅助图形冗余金属线和冗余金属线的高度小于所述金属导线的高度。
8.如权利要求7所述的半导体器件制作方法，其特征在于，形成冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和金属导线槽之前，还包括：在所述金属导线槽的对应位置形成通孔。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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