[发明专利]一种基于MEMS电容电感移相单元的开关线型移相器有效
申请号: | 201110335347.8 | 申请日: | 2011-10-28 |
公开(公告)号: | CN102509816A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 刘泽文;李玲 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01P1/18 | 分类号: | H01P1/18 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 贾玉健 |
地址: | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 mems 电容 电感 单元 开关 线型 移相器 | ||
1.一种基于MEMS电容电感移相单元的开关线型移相器,每个移相单元由两个对称的分单元连接组成,其特征在于,
每个分单元包括一个T型结(2),T型结(2)的水平端连接信号的输入输出端(11),T型结(2)的上端连接第一MEMS开关(101)的触点端,T型结(2)的下端连接第二MEMS开关(102)的触点端,第一MEMS开关(101)的锚点端接MEMS电容电感移相传输线(4),MEMS电容电感移相传输线(4)的另一端连接第一传输线直角转角(501),第二MEMS开关(102)的锚点端连接参考移相位共面波导传输线(3),参考移相位共面波导传输线(3)的另一端连接第二传输线直角转角(502);
两个分单元之间通过第一传输线直角转角(501)和第二传输线直角转角(502)连接;
第一MEMS开关电极(801)通过第一隔离电阻(901)与第一引线(701)连接两个分单元的第一MEMS开关(101)的下电极;
第二MEMS开关电极(802)通过第二隔离电阻(902)与第二引线(702)连接两个分单元的第二MEMS开关(102)的下电极。
2.根据权利要求1所述的基于MEMS电容电感移相单元的开关线型移相器,其特征在于,所述移相单元设置在介质衬底(6)上。
3.根据权利要求1所述的基于MEMS电容电感移相单元的开关线型移相器,其特征在于,所述T型结(2)上布置有呈方形的四个空气桥(10),用于抑制共面波导地线不对称而产生的高阶模式。
4.根据权利要求3所述的基于MEMS电容电感移相单元的开关线型移相器,其特征在于,所述T型结(2)采用台阶补偿法补偿空气桥(10)带来的额外电容。
5.根据权利要求3所述的基于MEMS电容电感移相单元的开关线型移相器,其特征在于,所述T型结(2)的水平端设置一段高阻传输线,补偿T型结(2)没有信号通过端的开路短截线所产生的电容。
6.根据权利要求1所述的基于MEMS电容电感移相单元的开关线型移相器,其特征在于,所述第一传输线直角转角(501)和第二传输线直角转角(502)上分别设置有两个空气桥(10),用于抑制共面波导地线不对称而产生的高阶效应。
7.根据权利要求6所述的基于MEMS电容电感移相单元的开关线型移相器,其特征在于,所述第一传输线直角转角(501)和第二传输线直角转角(502)采用台阶补偿法补偿空气桥(10)带来的额外电容。
8.根据权利要求1所述的基于MEMS电容电感移相单元的开关线型移相器,其特征在于,所述MEMS电容电感移相传输线(4)基于共面波导结构,MEMS电感位于中心信号线处,桥电容置于电感之上,两端固定在两侧地线上。
9.根据权利要求1所述的基于MEMS电容电感移相单元的开关线型移相器,其特征在于,所述参考移相位共面波导传输线(3)为一段普通的共面波导线,由两侧地线及中心信号线构成。
10.根据权利要求1所述的基于MEMS电容电感移相单元的开关线型移相器,其特征在于,由所述多个移相单元级联构成多位移相器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110335347.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。