[发明专利]MEMS垂直梳齿微镜面驱动器的制作方法

权利要求书

1.一种MEMS垂直梳齿微镜面驱动器的制作方法，其特征在于，包括：

提供具有双层硅器件层的SOI硅结构，包括第一衬底层、第一埋层氧化层、第一硅器件层、中间绝缘层、第二硅器件层、第二埋层氧化层、以及第二衬底层；

在所述第一衬底层的表面制作具有对准标记的第一划片图形；去除所述第二衬底层直至显露出所述第二埋层氧化层；

在所述第二埋层氧化层上制作包括所述第二埋层氧化层在内、厚度不等的双层掩膜，图形化所述双层掩膜显露出第二硅器件层；

利用所述双层掩膜，采用刻蚀工艺制作出高梳齿结构、低梳齿结构以及微镜面结构；

提供具有第三衬底层的双抛硅片，将所述双抛硅片与所述SOI硅结构进行硅硅键合，所述双抛硅片的键合面具有作为垂直梳齿结构的释放空间；在所述双抛硅片的远离所述键合面的第三衬底层的表面制作具有对准标记的第二划片图形；

去除所述SOI硅结构上的所述第一衬底层并显露出所述第一埋层氧化层；

图形化所述第一埋层氧化层；

以图形化后的所述第一埋层氧化层作为掩膜，刻蚀显露出的所述第一硅器件层并显露出位于所述第一硅器件层之下的所述中间绝缘层，释放可动梳齿结构、可动微镜面结构和固定梳齿结构，并显露出固定梳齿结构的引线区域；

去除所述第一埋层氧化层和显露的所述引线区域处的中间绝缘层；

在所述微镜面区域和所述引线区域形成薄膜金属层。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述SOI硅结构是采用具有双层硅器件层的三层硅结构的单个SOI硅片制作的。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述SOI硅结构是由两个SOI硅片经硅硅键合而成的，每一个SOI硅片包括衬底层、埋层氧化层、以及硅器件层，所述两个SOI硅片经硅硅键合的键合面上包括位于两个所述硅器件层之间的中间绝缘层。

4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述两个SOI硅片中的两个硅器件层分别用于制作可动梳齿结构和固定梳齿结构，它们构成垂直梳齿结构的高、低梳齿。

5.如权利要求1或4所述的制作方法，其特征在于，所述可动梳齿结构和所述固定梳齿结构的厚度为几微米到上百微米、宽度为几微米到数十微米、梳齿间隙为几微米到数十微米。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第二埋层氧化层上制作包括所述第二埋层氧化层在内、厚度不等的双层掩膜包括：

在所述第二埋层氧化层上进行第一次光刻掩膜版工艺，利用刻蚀方法刻蚀掉部分厚度的所述第二埋层氧化层；

在所述第二埋层氧化层上进行第二次光刻掩膜版工艺，利用刻蚀方法刻蚀掉显露出的所述第二埋层氧化层直至显露出所述第二硅器件层。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀方法为反应离子刻蚀方法。

8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述可动微镜面结构中微镜面驱动器的直径为几十微米到数千微米。

9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述垂直梳齿结构为梳齿深度高低的全齿梳齿结构，包括全齿固定梳齿结构、半齿可动梳齿结构和与所述半齿可动梳齿结构相连的微镜面结构。

10.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述垂直梳齿结构为半齿梳齿结构，包括半齿固定梳齿结构、半齿可动梳齿结构和与所述半齿可动梳齿结构相连的微镜面结构。