[发明专利]一种超材料介质基板及其加工方法有效
| 申请号： | 201110335512.X | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103085372A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;赵治亚;缪锡根;安娜·玛丽亚·劳拉·博卡内格拉;林云燕;易显钦 | 申请（专利权）人： | 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | B32B9/04 | 分类号： | B32B9/04;B32B18/00;C04B35/565;C04B35/622 |
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| 地址： | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 材料 介质 及其 加工 方法 | ||
1.一种超材料介质基板，包括纳米碳化硅陶瓷层、石墨粉末和石墨烯层，所述纳米碳化硅陶瓷层中硼的质量比为0.1％-10％，碳的质量比为0.1％-3.5％，所述石墨粉末的质量比为40％-60％。
2.一种超材料介质基板的加工方法，其特征在于，包括以下步骤，
11.制备纳米碳化硅陶瓷层；
12.将上述纳米碳化硅陶瓷层、石墨粉末、石墨烯层利用热等静压工艺制成超材料的介质基板。
3.根据权利要求2所述的超材料介质基板的加工方法，其特征在于，所述步骤11中，制备所述纳米碳化硅陶瓷包括以下步骤，
111.将纳米碳化硅粉末、溶剂、表面活性剂混合后研磨成细小颗粒，用超声波洗涤、干燥；
112.利用热等静压工艺将细小颗粒烧结成纳米碳化硅陶瓷层。
4.根据权利要求3所述的超材料介质基板的加工方法，其特征在于，所述步骤111中，所述纳米碳化硅粉末中硼的质量比为0.1％-10％。
5.根据权利要求3所述的超材料介质基板的加工方法，其特征在于，所述步骤111中，所述纳米碳化硅粉末的纯度≥99％。
6.根据权利要求3所述的超材料介质基板的加工方法，其特征在于，所述步骤111中，所述纳米碳化硅粉末的粒度为30-100nm。
7.根据权利要求3所述的超材料介质基板的加工方法，其特征在于，所述步骤111中，所述溶剂为水和乙醇，两者的质量比为，水∶乙醇＝9∶1。
8.根据权利要求3所述的超材料介质基板的加工方法，其特征在于，所述步骤111中，所述表面活性剂为甘油三油酸酯，所述表面活性剂的质量比为0-1％。
9.根据权利要求3所述的超材料介质基板的加工方法，其特征在于，所述步骤112中，所述热等静压工艺烧结压力控制在800-1000MPa，烧结温度控制在1500-1800℃，烧结时间控制在5-15min。
10.根据权利要求2所述的超材料介质基板的加工方法，其特征在于，所述步骤12中，所述热等静压温度应控制在1800-2000℃，热等静压时间应控制在5-15min。
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