[发明专利]一种纳米晶存储器及其制作方法无效
| 申请号： | 201110335530.8 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103094355A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘明;王晨杰;霍宗亮;张满红;刘璟;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 存储器 及其 制作方法 | ||
1.一种纳米晶存储器，包括半导体衬底、位于衬底上的栅堆叠介质层和位于栅堆叠介质层上的栅极层，位于栅堆叠介质层两侧衬底上的源漏区，其特征在于，所述栅堆叠介质层包括：
位于半导体衬底上的电荷隧穿层；
位于电荷隧穿层上的介质缓冲层，所述介质缓冲层材料的介电常数高于所述电荷隧穿层材料的介电常数；
位于所述介质缓冲层上的电荷存储层，所述电荷存储层采用纳米晶材料；
位于所述电荷存储层上的电荷阻挡层。
2.根据权利要求1所述的纳米晶存储器，其特征在于，所述栅堆叠介质层还包括存储区势垒层，所述存储区势垒层位于所述介质缓冲层和电荷存储层之间。
3.根据权利要求2所述的纳米晶存储器，其特征在于，所述存储区势垒层的材料为硅基氧化物。
4.根据权利要求1、2或3所述的纳米晶存储器，其特征在于，所述介质缓冲层的材料为铝、铪的二元氧化物或铝、铪氧化物的混合物。
5.根据权利要求1、2或3所述的纳米晶存储器，其特征在于，所述电荷存储层采用氮化钛纳米晶或氮化钽纳米晶。
6.根据权利要求1所述的纳米晶存储器，其特征在于，所述电荷隧穿层采用硅基氧化物或硅基氮氧化物。
7.根据权利要求1所述的纳米晶存储器，其特征在于，所述电荷阻挡层的材料与介质缓冲层的材料相同。
8.一种纳米晶存储器制作方法，其特征在于，包括步骤：
提供半导体衬底；
在所述衬底上制作电荷隧穿层；
在所述电荷隧穿层上制作介质缓冲层，所述介质缓冲层的材料介电常数高于所述电荷隧穿层的材料介电常数；
在所述介质缓冲层上制作电荷存储层；
在所述电荷存储层上制作电荷阻挡层；
对所述电荷存储层进行退火，使电荷存储层纳米化；
在所述电荷阻挡层上制作栅极层；
在所述栅极层上制作掩膜层，光刻所述掩膜层形成栅极图形；
刻蚀未被掩膜层覆盖的上述制作的各层至露出衬底，在所述露出衬底上制作源漏极。
9.根据权利要求8所述的纳米晶存储器制作方法，其特征在于，所述在所述介质缓冲层上制作电荷存储层步骤为：
在所述介质缓冲层上制作存储区势垒层；
在所述存储区势垒层上制作电荷存储层。
10.根据权利要求8或9所述的纳米晶存储器制作方法，其特征在于，所述电荷存储层的材料为金属氮化物层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110335530.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于监控对象呼吸活动的方法和装置
- 下一篇：电池板对地绝缘阻抗检测电路及方法
- 同类专利
- 专利分类
