[发明专利]MOS晶体管的栅极电压-1/f噪声曲线测量方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管的栅极电压-1/f噪声曲线测量方法，其特征在于，包括：

提供待检测的MOS晶体管；

测量在指定栅极电压区间内的MOS晶体管栅极电压-漏极电流的变化曲线；

将所述栅极电压区间划分成至少2个分区间，比较分区间的漏极电流的变化趋势，在各个分区间内选取多个栅极电压值，且漏极电流的变化趋势大的分区间内选取的栅极电压值数量大于漏极电流的变化趋势小的分区间内选取的栅极电压值数量；

测量选取的栅极电压值对应的1/f噪声，根据获得的1/f噪声获得在对应栅极电压区间的栅极电压-1/f噪声曲线。

2.如权利要求1所述的MOS晶体管的栅极电压-1/f噪声曲线测量方法，其特征在于，测量所述MOS晶体管的1/f噪声的具体方法包括：利用测试探针在MOS晶体管上施加源漏电压、栅极电压；测量MOS晶体管的漏极电流信号；分析所述漏极电流信号，获得所述MOS晶体管的1/f噪声。

3.如权利要求2所述的MOS晶体管的栅极电压-1/f噪声曲线测量方法，其特征在于，所述源漏电压为直流电压。

4.如权利要求1所述的MOS晶体管的栅极电压-1/f噪声曲线测量方法，其特征在于，还包括：利用所述栅极电压-1/f噪声的变化曲线判断MOS晶体管栅极氧化层和沟槽之间的电荷陷阱数量。

5.如权利要求1所述的MOS晶体管的栅极电压-1/f噪声曲线测量方法，其特征在于，所述待检测的MOS晶体管的栅极电压-漏极电流的变化曲线通过测量若干个栅极电压条件下的漏极电流获得。

6.如权利要求1所述的MOS晶体管的栅极电压-1/f噪声曲线测量方法，其特征在于，所述待检测的MOS晶体管的栅极电压-漏极电流的变化曲线通过使用器件模型进行模拟仿真计算获得。

7.如权利要求1所述的MOS晶体管的栅极电压-1/f噪声曲线测量方法，其特征在于，在测试MOS晶体管的漏极电流和1/f噪声时，所述MOS晶体管的源极和衬底接地或加偏压。

8.如权利要求1所述的MOS晶体管的栅极电压-1/f噪声曲线测量方法，其特征在于，所述待检测的MOS晶体管位于未封装的晶圆上。

9.如权利要求1所述的MOS晶体管的栅极电压-1/f噪声曲线测量方法，其特征在于，所述待检测的MOS晶体管位于封装器件中。

10.如权利要求1所述的MOS晶体管的栅极电压-1/f噪声曲线测量方法，其特征在于，测量所述MOS晶体管的1/f噪声采用的测试装置具备电磁噪声屏蔽能力。