[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一伪栅极、第一填充开口以及包围所述第一伪栅极和所述第一填充开口的层间介电层；

b）在所述第一伪栅极和所述层间介电层上以及所述第一填充开口内依次形成第一功函数层和第一牺牲层；

c）执行化学机械研磨工艺以去除所述第一填充开口以外的所述第一功函数层和所述第一牺牲层；

d）去除所述第一伪栅极以形成第二填充开口；

e）执行第一清洗工艺； 

f）在所述第二填充开口内以及所述层间介电层、所述第一功函数层和所述第一牺牲层上依次形成第二功函数层和第二牺牲层；

g）执行化学机械研磨工艺以去除所述第二填充开口以外的所述第二功函数层和所述第二牺牲层；

h）去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，以分别形成第一凹槽和第二凹槽；以及

i）在所述第一凹槽和所述第二凹槽内形成金属层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述a）步骤包括：

在所述半导体衬底上形成第一伪栅极和第二伪栅极，并在所述半导体衬底上形成包围所述第一伪栅极和所述第二伪栅极的层间介电层；

去除所述第二伪栅极以形成第一填充开口；以及

执行第二清洗工艺。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一清洗工艺和所述第二清洗工艺的清洗剂为酸性溶液。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述酸性溶液为HF溶液。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层是由相同的材料形成的。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层包含氮化钛。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述h）步骤中使用热氨水和双氧水混合溶液去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层的材料为铝。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一功函数层和所述第二功函数层具有不同的功函数，以分别形成N型和P型金属栅极的功函数层。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述b）步骤中形成所述第一功函数层之前还包括形成第一栅极介电层的工艺，和/或所述g）步骤中形成所述第二功函数层之前还包括形成第二栅极介电层的工艺。