[发明专利]一种三维芯片及其组合结构和制造方法

权利要求书

1.一种三维芯片，其特征在于，包括：基底、内围栏、元件和液态金属；所述元件设置在所述基底与内围栏所构成的封闭的内腔体中且固定在所述基底上；所述液态金属填充于所述内腔体中。

2.如权利要求1所述的三维芯片，其特征在于，所述元件的表面设置有绝缘层。

3.如权利要求1所述的三维芯片，其特征在于，所述三维芯片包括至少一个所述元件。

4.如权利要求1所述的三维芯片，其特征在于，所述围栏高于所述元件。

5.如权利要求1所述的三维芯片，其特征在于，所述液态金属为镓、钠、钾或者水银。

6.如权利要求5所述的三维芯片，其特征在于，所述液态金属中混有0～99wt％的镓铟锡合金或者钠钾合金，或者混有直径介于10nm至900nm的导热颗粒或者磁性颗粒。

7.如权利要求1所述的三维芯片，其特征在于，所述基底或者围栏的材料为铜、阳极氧化铝、金刚石、不锈钢、石墨、硅、有机玻璃或者聚合物材质。

8.一种三维芯片的组合结构，其特征在于，所述组合结构包括：外围栏、基底、元件和液态金属；所述外围栏围成封闭的外腔体；所述基底分层设置在所述外腔体中；所述元件设置在所述外腔体中，并且设置在所述基底上；所述液态金属填充于所述外腔体中。

9.如权利要求8所述的组合结构，其特征在于，所述组合结构还包括内围栏；所述内围栏设置在所述外腔体中，并且与所述基底连接构成内腔体，所述元件位于所述内腔体中；所述液态金属填充于所述内腔体中。

10.一种三维芯片的制造方法，其特征在于，包括步骤：

A：将元件设置在基底上，并且在所述元件表面设置绝缘层；

B：将内围栏固定在所述基底上，所述元件位于所述基底和内围栏所构成的内腔体中；

C：从所述内围栏的注液孔中注入液态金属，所述内腔体中空气从所述内围栏的排气孔中排出；

D：待液态金属充满所述内腔体后，封闭所述内围栏的注液孔和排气孔。