[发明专利]一种高压无功补偿IGBT功率单元有效
| 申请号： | 201110336541.8 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102386624A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 康伟;乔尔敏;赵国亮 | 申请（专利权）人： | 中国电力科学研究院 |
| 主分类号： | H02J3/18 | 分类号： | H02J3/18 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 无功 补偿 igbt 功率 单元 | ||
1.一种高压无功补偿IGBT功率单元，其特征在于：所述功率单元包括功率单元外壳组件(1)、直流电容器组件(2)、IGBT组件(3)、保护及控制单元(4)、自诊断及驱动单元(5)和电源组件(6)；所述直流电容器组件(2)和所述IGBT组件(3)固定于功率单元外壳组件(1)中，用铜排连接；所述保护及控制单元(4)和所述自诊断及驱动单元(5)都位于所述直流电容器组件(2)上方，用所述功率单元外壳组件(1)固定；所述电源组件(6)安装于所述IGBT组件(3)上方，用IGBT组件(3)固定。
2.如权利要求1所述的一种高压无功补偿IGBT功率单元，其特征在于：所述保护及控制单元(4)集成在PCB板卡上，所述PCB板卡的数目为1。
3.如权利要求1所述的一种高压无功补偿IGBT功率单元，其特征在于：所述IGBT组件(3)包括散热器。
4.如权利要求1所述的一种高压无功补偿IGBT功率单元，其特征在于：所述直流电容器组件(2)的接线柱高度和所述IGBT组件(3)直流侧高度相等。
5.如权利要求1所述的一种高压无功补偿IGBT功率单元，其特征在于：所述IGBT组件(3)的IGBT元件位于所述自诊断及驱动单元(5)的侧下方，使得驱动引线最短。
6.如权利要求5述的一种高压无功补偿IGBT功率单元，其特征在于：所述IGBT元件(3)与所述直流电容器组件(2)的直流电容对称式布置，使得每只IGBT元件(3)和所述直流电容工作在相同状态。
7.如权利要求1所述的一种高压无功补偿IGBT功率单元，其特征在于：一次功率端子(8b)位于所述功率单元后部，二次控制端子(9b)位于所述功率单元正面，使得一次、二次电路分开。
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