[发明专利]硅晶铸锭的制法以及硅晶铸锭

权利要求书

1.一种硅晶铸锭的制法，其特征在于，按下述步骤进行：

①、装一硅晶种层至一模内，所述硅晶种层是由若干个主要单晶硅晶种以及若干个次要单晶硅晶种所构成，每一主要单晶硅晶种具有一第一晶向，每一个次要单晶硅晶种具有一第二晶向，所述第一晶向不等于晶向[100]，所述第二晶向不等于所述第一晶向，且所述第一晶向与所述第二晶向之间的夹角不小于35度，每一主要单晶硅晶种紧邻至少一个次要单晶硅晶种，且每一主要单晶硅晶种与其他主要单晶硅晶种隔开；

②、装一硅熔汤至所述模内，以使所述硅熔汤与所述硅晶种层接触；

③、基于一方向性凝固制程冷却所述模，造成所述硅熔汤凝固，以形成包含所述硅晶种层的硅晶铸锭。

2.根据权利要求1所述的硅晶铸锭的制法，其特征在于：所述第一晶向是晶向[110]、晶向[232]和晶向[112]中的其一。

3.根据权利要求2所述的硅晶铸锭的制法，其特征在于：所述第二晶向是晶向[100]。

4.根据权利要求2所述的硅晶铸锭的制法，其特征在于：所述若干个主要单晶硅晶种与所述若干个次要单晶硅晶种交错排列于所述模内。

5.根据权利要求2所述的硅晶铸锭的制法，其特征在于：所述若干个次要单晶硅晶种穿插于所述若干个主要单晶硅晶种之间。

6.根据权利要求5所述的硅晶铸锭的制法，其特征在于：所述若干个主要单晶硅晶种占所述硅晶种层的体积百分比大于80％。

7.根据权利要求5所述的硅晶铸锭的制法，其特征在于：穿插于两个主要单晶硅晶种之间的一个次要单晶硅晶种具有3cm至5cm的宽度。

8.根据权利要求1所述的硅晶铸锭的制法所制得的硅晶铸锭，其包含一底部，其特征在于：所述底部包含一硅晶种层，所述硅晶种层是由若干个主要单晶硅晶种以及若干个次要单晶硅晶种所构成，每一主要单晶硅晶种具有一第一晶向，每一个次要单晶硅晶种具有一第二晶向，所述第一晶向不等于晶向[100]，所述第二晶向不等于所述第一晶向，且所述第一晶向与所述第二晶向之间的夹角不小于35度，每一主要单晶硅晶种紧邻至少一个次要单晶硅晶种，且每一主要单晶硅晶种与其他主要单晶硅晶种隔开。

9.一种硅晶铸锭的制法，其特征在于，按下述步骤进行：

①、装一硅晶种层至一模内，所述硅晶种层是由若干个主要单晶硅晶种以及若干个次要单晶硅晶种所构成，每一主要单晶硅晶种定义一第一顶表面与一第一侧表面，且每一主要单晶硅晶种具有一与所述第一顶表面垂直的第一晶向以及一与所述第一侧表面垂直的第二晶向，每一个次要单晶硅晶种定义一第二顶表面与一第二侧表面，且每一个次要单晶硅晶种具有一与所述第二顶表面垂直的第一晶向以及一与所述第二侧表面垂直的第三晶向，所述第一晶向不等于晶向[100]，所述第三晶向不等于所述第二晶向，且所述第三晶向与所述第二晶向之间的夹角不小于35度，每一主要单晶硅晶种紧邻至少一个次要单晶硅晶种，且每一主要单晶硅晶种与其他主要单晶硅晶种隔开；

②、装一硅熔汤至所述模内，以使所述硅熔汤与所述硅晶种层接触；

③、基于一方向性凝固制程冷却所述模，造成所述硅熔汤凝固，以形成包含所述硅晶种层的硅晶铸锭。

10.根据权利要求9所述的硅晶铸锭的制法，其特征在于：所述第一晶向是晶向[110]、晶向[232]和晶向[112]中的其一。

11.根据权利要求10所述的硅晶铸锭的制法，其特征在于：所述若干个主要单晶硅晶种与所述若干个次要单晶硅晶种交错排列于所述模内。

12.根据权利要求10所述的硅晶铸锭的制法，其特征在于：所述若干个次要单晶硅晶种穿插于所述若干个主要单晶硅晶种之间。