[发明专利]半导体二极管无效
| 申请号： | 201110336807.9 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102842621A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 杨明宗;李东兴 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/45;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 于淼;张一军 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 二极管 | ||
1.一种半导体二极管，包括：
半导体基底，具有第一导电型的轻掺杂区；
第一重掺杂区，位于所述轻掺杂区内，且具有与所述第一导电型相反的第二导电型；
第二重掺杂区，位于所述轻掺杂区内，且与所述第一重掺杂区直接接触，其具有所述第一导电型；
第一金属硅化物层，位于所述半导体基底上，且与所述第一重掺杂区直接接触；
第二金属硅化物层，位于所述半导体基底上，且与所述第二重掺杂区直接接触，其中所述第二金属硅化物层与所述第一金属硅化物层隔开。
2.如权利要求1所述的半导体二极管，其特征在于，所述半导体二极管还包括隔离结构，位于所述半导体基底内，且环绕所述第一重掺杂区及所述第二重掺杂区。
3.如权利要求2所述的半导体二极管，其特征在于，所述隔离结构为浅沟槽隔离结构。
4.如权利要求1所述的半导体二极管，其特征在于，所述半导体二极管还包括：
第一金属接触窗，与所述第一金属硅化物层直接接触；以及
第二金属接触窗，与所述第二金属硅化物层直接接触。
5.如权利要求4所述的半导体二极管，其特征在于，所述第一金属接触窗及所述第二金属接触窗包括金属钨。
6.如权利要求1所述的半导体二极管，其特征在于，所述第一金属硅化物层及所述第二金属硅化物层包括镍硅化物。
7.如权利要求1所述的半导体二极管，其特征在于，所述第一导电型为n型，且所述第二导电型为p型。
8.如权利要求1所述的半导体二极管，其特征在于，其中所述第一导电型为p型，且所述第二导电型为n型。
9.如权利要求1所述的半导体二极管，其特征在于，所述半导体二极管还包括：
内层介电层，位于半导体基底上；以及
第一金属接触窗与第二金属接触窗，设置于所述内层介电层内，且分别与所述第一金属硅化物层及所述第二金属硅化物层直接接触。
10.如权利要求9所述的半导体二极管，其特征在于，所述内层介电层包括氧化物、氮化物、氮氧化物或其组合或低介电材料。
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