[发明专利]一种人工种植石斛的低成本高产栽培方法

说明书

技术领域

本发明属于石斛人工栽培技术领域，具体涉及一种人工种植石斛的低成本高产栽培方法。

背景技术

石斛（Dendrobium）属兰科，我国的云南、广西、广东、贵州、台湾为国产本属植物的分布中心。石斛属植物喜阴，生活环境独特，对小气候环境要求十分严格。多生于温凉高湿的阴坡、半阴坡微酸性岩层峭壁上，群聚分布，上有林木侧方遮阴，下有溪沟水源，冬春季节稍耐干旱，但严重缺水时常叶片落尽，裸茎渡过不良环境，到温暖季节重新萌发枝叶。常与地衣、苔藓植物以及抱石莲、伏石蕨、卷柏、石豆兰等混生。石斛以其密集的须根系附着于石壁砂砾上吸收岩层水分和养料，裸露空中的须根则从空气中的雾气、露水吸收水分，依靠自身叶绿素进行光合作用。因此，人工栽培石斛一般采用泥炭苔藓、蕨根、树皮块和木炭等轻型、排水好、透气的栽培基质，底部多垫入瓦片或碎砖屑，以利于根系发育。

目前，人工栽培石斛普遍多采用遮阴大棚，大棚内搭建平面苗床进行栽培。苗床一般采用钢结构、木结构或砖石结构的支架式苗床，在农业生产中，建设这类苗床的成本过高，而且易损坏，更换或维护困难，给石斛的人工栽培带来很多的困难。为此，经本发明潜心研究，开发出一种人工种植石斛的低成本高产栽培方法，试验证明，效果良好。

发明内容

本发明的在于针对现有技术的不足，提供一种制作成本低廉、维护方便的人工种植石斛的低成本高产栽培方法。

本发明的目的是这样实现的，包括种植环境营造、种植畦设置、种植畦整理、石斛苗栽植，具体为下列步骤：

A、种植环境营造：建造可人工影响栽培环境的全封闭遮阴大棚，在棚内设置管理路梗和灌溉排水沟；

B、种植畦设置：在全封闭遮阴大棚内平行设置种植畦，相邻种植畦之间设置畦沟，畦沟连通灌溉排水沟；

C、种植畦整理：畦面做平整，并铺设垫板作为栽培苗床垫层，上面铺设边皮板，边皮板上铺一层遮阴网，在遮阴网上铺设栽培基质；

D、石斛苗栽植：在整理好的种植畦上按10×10cm的株距依次将石斛成苗或组培苗栽培在苗床上，并按常规生产流程进行生产管理。

本发明采用土基作为种植畦的基础，大大降低了生产成本；用石棉瓦作为垫板将栽培基质和土层分开，更加符合石斛对人工栽培条件的要求，从而提高了石斛的产量，取得了突出的技术效果。本发明工艺简便，制作种植畦的材料成本低廉，维护方便，更长期使用。

附图说明

图1为本发明种植环境结构示意图；

图中：1-全封闭遮阴大棚；2-种植畦；3-畦沟；4-灌溉排水沟；5-垫板；6-边皮板；7-遮阴网；8-栽培基质。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步的说明，但不以任何方式对本发明加以限制，基于本发明教导所作的任何变更或改进，均属于本发明的保护范围。

如图1所示，本发明包括种植环境营造、种植畦设置、种植畦整理、石斛苗栽植，具体为下列步骤：

A、种植环境营造：建造可人工影响栽培环境的全封闭遮阴大棚1，在棚内设置管理路梗和灌溉排水沟4；

B、种植畦设置：在全封闭遮阴大棚1内平行设置种植畦2，相邻种植畦2之间设置畦沟3，畦沟3连通灌溉排水沟4；

C、种植畦整理：畦面做平整，并铺设垫板5作为栽培苗床垫层，上面铺设边皮板6，边皮板6上铺一层遮阴网7，在遮阴网7上铺设栽培基质8；

D、石斛苗栽植：在整理好的种植畦2上按10×10cm的株距依次将石斛成苗或组培苗栽培在苗床上，并按常规生产流程进行生产管理。

所述的全封闭遮阴大棚1高度为2.5~3m。

所述种植畦2底部宽150~170cm、畦高50~60cm，畦沟3宽50~60cm。

所述的畦沟3连接灌溉排水沟4的一端低于另一端8~12cm。

所述的遮阴网7对阳光的遮除率为75~85%。

所述的垫板5为石棉瓦拼接组合而成，也可以采用其他不透水材料制作，如砖、瓦片或玻璃钢片等，同样可以实现本发明的目的。

所述的栽培基质8包括沤制熟化后的锯末和/或碎树皮、树叶。

所述的栽培基质8中锯末和/或碎树皮、树叶的为重量比1：0~3，栽培基质8，厚度为5~8cm。

所述的栽培基质8使用前要经杀虫和消毒处理。

所述的杀虫处理是使用氯氰菊酯类、杀螺胺类、溴氰菊酯类杀虫剂中的一种或一种以上；所述的消毒处理是使用阿维菌素、多菌灵、百菌清中的一种或一种以上。

本发明的工作原理：