[发明专利]晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底分为NMOS区域和PMOS区域；

在衬底上形成高K介质层；

在所述NMOS区域的高K介质层上依次形成第一功函数金属层、第一阻挡层、金属电极层，所述第一阻挡层具有压缩应力；

在所述PMOS区域的高K介质层上依次形成第二功函数金属层、第二阻挡层、金属电极层，所述第二阻挡层具有拉伸应力。

2.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一阻挡层和第二阻挡层的材料相同。

3.如权利要求2所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一阻挡层和第二阻挡层的材料为氮化钽或氮化钛中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，形成第一阻挡层的步骤包括：采用等离子体进行沉积。

5.如权利要求4所述的晶体管的制造方法，其特征在于，形成第一阻挡层包括采用等离子体增强化学气相沉积或者物理气相沉积。

6.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，形成第二阻挡层的步骤包括：采用热沉积形成所述第二阻挡层。

7.如权利要求6所述的晶体管的制造方法，其特征在于，形成第二阻挡层包括采用原子层沉积或者金属有机化合物化学气相沉积。

8.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一功函数金属层、第二功函数金属层的材料为氮化钽、钛铝合金、氮化钨中的一种或多种。

9.如权利要求8所述的晶体管的制造方法，其特征在于，通过原子层沉积方法或者物理气相沉积方法形成所述第一功函数金属层或第二功函数金属层。

10.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，在形成第一阻挡层之后，形成金属电极层之前，在第一阻挡层上形成金属浸润层，用于促进金属电极层的材料向第一阻挡层的扩散。

11.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，在形成第二阻挡层之后，形成金属电极层之前，在第二阻挡层上形成金属浸润层，用于促进金属电极层的材料向第二阻挡层的扩散。

12.如权利要求10或11所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述金属电极层的材料为铝，所述金属浸润层的材料为钛或钛铝合金。

13.如权利要求12所述的晶体管的制造方法，其特征在于，通过物理气相沉积的方法形成所述金属浸润层。

14.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述金属电极层的材料为铝。

15.如权利要求14所述的晶体管的制造方法，其特征在于，通过化学气相沉积或者物理气相沉积的方法形成所述金属电极层。

16.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一功函数金属层的功函数在3.9eV～4.2eV的范围内。

17.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二功函数金属层的功函数在4.9eV～5.2eV的范围内。