[发明专利]NMOS形成方法、CMOS形成方法

权利要求书

1.一种NMOS形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有栅介质层和栅多晶硅层，所述半导体衬底表面、栅介质层和栅多晶硅层的两侧形成有侧墙；

在半导体衬底表面形成金属层，所述金属层覆盖侧墙、栅多晶硅层；

在所述金属层表面形成覆盖层；

采用退火工艺在所述栅多晶硅层内形成金属硅化物层；

去除覆盖层、未反应的金属层之后，对所述金属硅化物层进行退火。

2.如权利要求1所述的NMOS形成方法，其特征在于，所述栅多晶硅层120的厚度为800埃至1200埃。

3.如权利要求1所述的NMOS形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为镍、钴、钛、或铂。

4.如权利要求1所述的NMOS形成方法，其特征在于，所述金属层的厚度为400埃至800埃。

5.如权利要求1所述的NMOS形成方法，其特征在于，所述覆盖层材料为氮化硅或氧化硅。

6.如权利要求1所述的NMOS形成方法，其特征在于，所述覆盖层的厚度为100埃至500埃。

7.如权利要求3所述的NMOS形成方法，其特征在于，当所述金属层的材料为镍时，所述金属硅化物层的材料为NiSi。

8.如权利要求1所述的NMOS形成方法，其特征在于，形成金属硅化物层的退火工艺为快速热退火。

9.如权利要求8所述的NMOS形成方法，其特征在于，形成金属硅化物层的退火工艺参数为：采用快速热退火炉，退火温度为200℃至350℃。

10.如权利要求1所述的NMOS形成方法，其特征在于，对所述金属硅化物层进行退火工艺为高温热退火。

11.如权利要求10所述的NMOS形成方法，其特征在于，对所述金属硅化物层进行退火工艺参数为：采用快速热退火炉，退火温度为300℃至600℃。

12.如权利要求1所述的NMOS形成方法，其特征在于，还包括，在半导体衬底表面形成金属层步骤之前，执行去除部分栅多晶硅层，形成开口的步骤。

13.如权利要求12所述的NMOS形成方法，其特征在于，所述去除部分栅多晶硅层的厚度为150埃至250埃。

14.如权利要求13所述的NMOS形成方法，其特征在于，所述去除工艺为干法或者湿法去除工艺。

15.如权利要求1所述的NMOS形成方法，其特征在于，所述栅介质层和栅多晶硅层的两侧的所述半导体衬底内形成有源极区和漏极区；所述金属层覆盖源极区和漏极区，采用退火工艺在所述栅多晶硅层内形成金属硅化物层的同时，在所述源极区和漏极区形成金属硅化物。

16.一种CMOS形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域；在所述第一区域和第二区域的所述半导体衬底表面形成有栅极结构，所述栅极结构包括：依次形成在半导体衬底表面的栅介质层和栅多晶硅层，形成在所述半导体衬底表面、栅介质层和栅多晶硅层的两侧的侧墙；

在半导体衬底表面形成金属层，所述金属层覆盖第一区域和第二区域的侧墙、栅多晶硅层；

在第一区域的所述金属层表面形成覆盖层；

采用退火工艺在所述栅多晶硅层内形成金属硅化物层；

去除覆盖层、未反应的金属层之后，对所述金属硅化物层进行退火。

17.如权利要求16所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述栅多晶硅层的厚度为800埃至1200埃。

18.如权利要求16所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为镍、钴、钛、或铂。

19.如权利要求16所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述金属层的厚度为400埃至800埃。

20.如权利要求16所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述覆盖层材料为氮化硅或氧化硅。

21.如权利要求16所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述覆盖层的厚度为100埃至500埃。