[发明专利]CMOS形成方法有效
| 申请号： | 201110338864.0 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103094085A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 形成 方法 | ||
1.一种CMOS形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和与第一区域相对的第二区域；
在所述第一区域和第二区域的所述半导体衬底表面形成栅介质层；在所述第一区域的栅介质层表面形成第一多晶硅层，在所述第二区域的栅介质层表面形成第二多晶硅层；
在所述半导体衬底表面形成与所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层表面齐平的介质层；
所述介质层表面形成第一金属层，所述第一金属层覆盖所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层；
形成覆盖所述第一区域的第一金属层表面的隔离层；
在所述第一区域的隔离层表面和第二区域的第一金属层表面形成第二金属层；
采用退火工艺在所述第一多晶硅层内形成第一金属硅化物层，在所述第二多晶硅层内形成第二金属硅化物层。
2.如权利要求1所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述第一金属硅化物层的金属摩尔百分比小于第二金属硅化物层的金属摩尔百分比。
3.如权利要求1所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述第一金属层材料为镍、钴、钛、或铂。
4.如权利要求1所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述第一金属层厚度为400埃至800埃。
5.如权利要求3所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述第二金属层材料与第一金属层材料相同。
6.如权利要求5所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述第二金属层材料为镍、钴、钛、或铂。
7.如权利要求1所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述第二金属层厚度为400埃至800埃。
8.如权利要求1所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述第一多晶硅层厚度为800埃至1200埃。
9.如权利要求1所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述第二多晶硅层厚度为800埃至1200埃。
10.如权利要求1所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述第一金属硅化物层材料为NiSi。
11.如权利要求1所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述第二金属硅化物层材料为Ni2Si或Ni3Si。
12.如权利要求1所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述隔离层材料为氮化硅或氮氧化硅。
13.如权利要求1所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述退火工艺为快速热退火工艺。
14.如权利要求13所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述退火工艺参数为：采用快速热退火炉，退火温度为200℃至350℃。
15.如权利要求1所述的CMOS形成方法，其特征在于，还包括：去除未反应的第一金属层、第二金属层和隔离层；对所述第一金属硅化物层和第二金属硅化物层进行退火。
16.如权利要求15所述的CMOS形成方法，其特征在于，所述对所述第一金属硅化物层和第二金属硅化物层进行退火工艺参数为：采用快速热退火炉，退火温度为300℃至600℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
