[发明专利]硅通孔的形成方法有效
| 申请号： | 201110338908.X | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103094189A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅通孔 形成 方法 | ||
1.一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括：
提供硅衬底，所述硅衬底上形成有层间介质层和贯穿所述层间介质层、且底部位于硅衬底中的通孔；
形成覆盖所述通孔底部、侧壁及层间介质层的停止层；
向所述通孔填充保护层，所述保护层填满通孔；
平坦化所述覆盖层间介质层的停止层，直至剩余部分停止层；
去除所述通孔中的保护层；
向所述通孔中填充导电材料；
通过CMP去除所述剩余部分停止层及剩余部分停止层中的导电材料，直至露出层间介质层。
2.如权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述停止层的材质为氧化硅。
3.如权利要求2所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述停止层通过次常压化学气相沉积的方法形成。
4.如权利要求2所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，覆盖所述通孔侧壁的停止层的厚度在1000～2000的范围内。
5.如权利要求2所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述覆盖层间介质层的停止层采用含有氧化硅的研磨剂平坦化。
6.如权利要求2所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述剩余部分停止层的厚度在300～600范围内。
7.如权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述停止层依次包括覆盖所述通孔底部、侧壁及层间介质层的阻挡层和覆盖所述阻挡层的绝缘层。
8.如权利要求7所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度在200～400范围内。
9.如权利要求7所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材质为氮化钛或氮化钽。
10.如权利要求7所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材质为氧化硅。
11.如权利要求7所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述绝缘层通过次常压化学气相沉积的方法形成。
12.如权利要求7所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，覆盖所述通孔侧壁阻挡层的绝缘层的厚度在1000～2000的范围内。
13.如权利要求7所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述平坦化覆盖层间介质层的停止层包括平坦化覆盖阻挡层的绝缘层，所述绝缘层采用含有氧化硅的研磨剂平坦化。
14.如权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述保护层的材质为光刻胶或BARC。
15.如权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述保护层采用灰化工艺去除。
16.如权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述导电材料的材质为铜或钨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
