[发明专利]一种薄膜光伏建筑一体化组件的生产工艺无效
申请号: | 201110339008.7 | 申请日: | 2011-11-01 |
公开(公告)号: | CN102332503A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 宋大卫;苏振馨;郞平;苏金风 | 申请(专利权)人: | 天津天环光伏太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;E04B2/88;E04B2/92 |
代理公司: | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人: | 闫俊芬 |
地址: | 300353 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 建筑 一体化 组件 生产工艺 | ||
技术领域
本发明属于太阳能光伏技术领域,涉及一种薄膜光伏建筑一体化组件的生产工艺。
背景技术
在众多能源中,太阳能光伏发电是新能源和可再生能源中最具技术含量和发展前途的方式。而常见的太阳能电池组件是由光伏玻璃、晶体硅电池片阵列、胶膜、背板、铝边框、接线盒等组成的在阳光照射下将光能转化为电能的装置。
最近几年将光伏发电系统和建筑物有机融合为一体的光伏建筑一体化(BIPV)技术开始得到应用,与传统的太阳能组件使用方式相比,光伏建筑一体化有众多优势:例如光伏建筑一体化使建材的一部分变成了要样能组件的组成部分,节省了太阳能组件的成本;还可以有效地利用阳光照射的空间,节省土地资源;所发电力首先为本建筑物使用,即可原地发电原地使用,可节省电站送电网的投资和减少输电损耗。
但是在光伏建筑一体化中对太阳能组件的性能有着更高的要求,尤其是冲击强度要达到玻璃幕墙的要求。
目前薄膜光伏建筑一体化组件的生产一般采用类似于生产普通晶硅太阳能组件的工艺,用EVA作为粘结玻璃和电池片的胶膜,采用层压机一次层压成型。这种生产工艺速度慢效率低,且生产的光伏建筑一体化组件作为玻璃幕墙,其强度偏低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高强度的薄膜光伏建筑一体化组件的生产工艺。
本发明是这样实现的,一种薄膜光伏建筑一体化组件的生产工艺,采用干法夹胶法;包括以下步骤:
将钢化玻璃放入清洗机清洗吹干;
在恒温低湿合片室中敷设合片,即在所述钢化玻璃上按顺序敷设一层PVB膜、薄膜太阳能电池、一层PVB膜以及超白钢化玻璃;
将敷设合片后形成的组件用平压机预热预压成一个整体;
将预热预压好的组件整体用高压釜加热加压制成所述薄膜光伏建筑一体化组件。
所述薄膜太阳能电池以TCO玻璃为底衬。
所述平压机的预热预压条件是:温度为60-80℃、压力0.4-0.6Mpa。
所述高压釜的热压条件是:温度为130℃-135℃、压力为1.15-1.25Mpa,时间为20-45分钟。
本发明采用干法夹胶玻璃的生产工艺,与现有薄膜光伏建筑一体化组件相比,具有较高的生产效率,生产的薄膜光伏建筑一体化组件具有更高的强度,可满足建筑玻璃幕墙的要求。
附图说明
图1是本发明实施例提供的薄膜光伏建筑一体化组件的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图,对本发明进行进一步详细说明。
一种薄膜光伏建筑一体化组件的生产工艺,采用干法夹胶法;包括以下步骤:
S101:将钢化玻璃放入清洗机清洗吹干;
S102:在恒温低湿合片室中敷设合片,即在所述钢化玻璃上按顺序敷设一层PVB膜、薄膜太阳能电池、一层PVB膜以及超白钢化玻璃;
S103:将敷设合片后形成的组件用平压机预热预压成一个整体;
经过平压机的预热预压后钢化玻璃、PVB膜、薄膜太阳能电池、超白钢化玻璃就会有机的结合成一个整体;
S104:将预热预压好的组件整体用高压釜加热加压制成所述薄膜光伏建筑一体化组件。
将预热预压好的组件整体送进高压釜后,加盖拧紧,进行加热加压,最后形成本发明所述的薄膜光伏建筑一体化组件。
其中,所述薄膜太阳能电池以TCO玻璃为底衬。
所述平压机的预热预压条件是:温度为60-80℃、压力0.4-0.6Mpa。
所述高压釜的热压条件是:温度为130℃-135℃、压力为1.15-1.25Mpa,时间为20-45分钟。
本发明方法制成的薄膜光伏建筑一体化组件的结构如图1所示,包括超白钢化玻璃1、钢化玻璃4、位于超白钢化玻璃1及钢化玻璃4间的两层PVB膜2以及在所述两层PVB膜2之间的薄膜太阳能电池3。
本发明采用干法夹胶玻璃的生产工艺,与现有薄膜光伏建筑一体化组件相比,具有较高的生产效率,生产的薄膜光伏建筑一体化组件具有更高的强度,可满足建筑玻璃幕墙的要求。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的