[发明专利]钽酸钠薄膜紫外光探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种采用水热合成法制备的NaTaO₃薄膜紫外光探测器，其特征在于：从下至上依次由金属钽片(1)衬底，采用水热合成法在金属钽片上生长的NaTaO₃薄膜(2)，在NaTaO₃薄膜上采用磁控溅射法制备的Au、Pt或Ni金属插指电极(3)组成，待探测的紫外光(4)从金属插指电极(3)的上方入射。

2.如权利要求1所述的一种采用水热法制备的NaTaO₃薄膜紫外光探测器，其特征在于：金属钽片(1)的厚度为0.3～1mm，NaTaO₃薄膜的厚度为0.5～2μm，金属插指电极的厚度为0.03～0.15μm，插指电极宽度为0.5～1mm，插指电极间距为0.5mm～1mm。

3.一种权利要求1所述的采用水热合成法制备的NaTaO₃薄膜紫外光探测器的制备方法，其步骤如下：

(1)、衬底的清洗

将金属钽片衬底用去离子水清洗干净，然后用氮气吹干；

(2)、水热合成法NaTaO₃薄膜的制备

将2～3克氢氧化钠溶解在10～15毫升去离子水中，然后将氢氧化钠溶液置于反应釜中，把金属钽片放入反应釜中并将反应釜密封，然后把反应釜放在电阻炉内，将温度调到130～200℃加热10～24h；将反应釜取出后冷却至室温，再将金属钽片取出，先用去离子水冲洗金属钽片，再用氮气吹干，从而在金属钽片上得到厚度为0.5～2μm的NaTaO₃薄膜；

(3)、采用磁控溅射技术在NaTaO₃薄膜上制备金属插指电极采用磁控溅射技术制备金属电极，插指电极的厚度为0.03～0.15μm，插指电极宽度为0.5～1mm，插指电极间距为0.5～1mm；至此制备得到金属—半导体NaTaO₃-金属的平面结构NaTaO₃薄膜紫外光探测器。

4.如权利要求1所述的采用水热合成法制备的NaTaO₃薄膜紫外光探测器的制备方法，其特征在于：磁控溅射技术是在NaTaO₃薄膜上覆盖一个与插指电极结构互补的掩膜板，将NaTaO₃薄膜与掩膜板一并置于真空室中，抽真空至1.0×10^-3～5.0×10^-3Pa；然后通Ar气，溅射气压为0.3～1.2Pa，溅射功率为40～110W，溅射时间5～30分钟，溅射钯为Au、Pt或Ni钯，最后将NaTaO₃薄膜上的掩膜板去掉，从而得到金属插指电极。