[发明专利]刺激目标范围标定方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种刺激目标范围标定方法，尤指一种能适用于深层脑部电刺激(deep brain stimulation，DBS)的刺激目标范围标定方法。

背景技术

病人服药后常会引起副作用，最常见的就是异动症(dyskinesia)，不但会令人无法正常生活，且会诱发帕金森氏病(Parkinson′s Disease)的各种症状。

除了药物引起的副作用外，药物在经长时间服用后也常会失去疗效而形成一种开和关的交替反应。当药物引起开的反应时病人的症状可得到良好的控制，但是当引起关的反应时，病人的症状就不能够获得控制，因此正常活动的能力即受到影响。

所以，当病人因上述两种原因(药物的副作用或产生的开、关交替反应)，而得不到正常的行动能力，或生活品质受到影响时，便需要考虑以手术进行治疗。而此类手术治疗可分为深层脑部电刺激(deep brain stimulation，DBS)与具有较高危险性的烧灼破坏术(lesion procedure)两大类，其中又以深层脑部电刺激较为普及。

在现有的深层脑部电刺激手术中，会应用微电极记录(microelectrode recording，MER)技术来协助判断用以通电来电刺激脑部的永久性导线的植入位置。具体来说，此种技术是先利用计算机断层扫描(Computed Tomography，CT)和核磁共振成像(Magnetic Resonance Imaging，MRI)技术寻搜刺激目标的概略位置，以制定出初次植入轨迹，用于植入具有微电极记录传感器的探针执行微电极记录，以确认探针是否已达至刺激目标中的预定位置。若是初次植入探针的位置不理想，需将探针抽出再以不同轨迹植入，直到探针能顺利植入预定目标。当探针植入的深度到达刺激目标后，即可移除探针并用永久性导线予以取代。然而，微电极记录技术仅可用以确定探针植入的深度是否已达至刺激目标，却无法确定探针于刺激目标中的精确位置，因此，永久性导线可能会被放在刺激目标中靠近边界的位置而无法正确植入刺激目标的中心。一旦永久性导线放置的位置不理想，通电之后脑部欲受电刺激的范围也会受限，进而无法达到手术原本预期的功效。

美国第6301492号专利案揭示一种适用于DBS手术的整合型探针，其通过将DBS导线整合至具有微电极记录传感器的探针中，以在探针植入刺激目标后，毋需移除而另以永久性导线取代，故可降低手术时的复杂度。然而，现有技术仍无法确知探针的植入位置是否精确，而仍需要以不同的植入轨迹植入探针数次，方能找到最佳植入位置，故仍无法快速、精确地植入探针于刺激目标中的所欲位置，增加病人的负担和手术失败的风险。

参照图1，其显示现有的电阻抗断层造影(electrical impedance tomography，EIT)技术。如图所示，特定区域100的外围围绕一具有电极1～16的导线，而通过特定区域100表面上的电极1、3，电流源104可输入信号于该特定区域100，此时，导电目标102会因电场的关系产生电性特征，即每一个电极均有相对应的等势线108，并依序反应于特定区域100表面上的电极4～16。而电压量测器106是作为接收信号之用，用以计算出特定区域100内的阻抗大小值，以重建导电目标102在特定区域100中的影像，例如，电压量测器106先连接于电极4、8，电极4、8接收信号后，再位移至其它电极以接收其它电极上的信号。量测完成时，即可进行演算并据此重建影像，进而得知导电目标102横截面的阻抗大小。由此可知，现有的电阻抗断层造影技术大致是借电极围绕在目标物之外，经由既定电压量测程序，描绘出电极围绕区间内目标物所在位置。DBS手术则是将电极植入目标物之中，与上述技术不同，故若欲于DBS手术中描绘出探针周围组织结构，以得知探针于植入目标中的精确位置，现有的电阻抗断层造影技术即无法直接应用。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺点，本发明的主要目的在于提供能快速、有效地找到刺激目标范围及精确的植入位置的方法，以增加手术的准确性，克服因MER技术无法得知探针植入刺激目标内的精确位置而造成无法达到预期的治疗效果的缺失。