[发明专利]用于半导体晶圆处理的高效率静电夹盘组件

权利要求书

1.一种静电夹盘组件，包括：

挠性堆叠件，该挠性堆叠件包括：

第一介电层，该第一介电层包括聚芳醚酮，具有基板支撑表面；

第二介电层，该第二介电层具有接合表面，该第一介电层接合至该第二介电层；以及

预成型薄片电极，该预成型薄片电极设置于该第一介电层与该第二介电层之间。

2.如权利要求1所述的静电夹盘组件，其中，该聚芳醚酮包括高纯度聚芳醚酮材料，该高纯度聚芳醚酮材料中以下金属中的任一者含量不大于百万分之一：铝、锑、砷、钡、铍、铋、硼、镉、钙、铬、钴、铜、镓、锗、铪、铟、铁、铅、锂、汞、镁、锰、钼、镍、铌、磷、钾、铷、钪、硒、硅、银、钠、锶、硫、钽、碲、铊、锡、钛、钨、钒、钇、锌、锆。

3.如权利要求1所述的静电夹盘组件，其中，该电极为铜片，该铜片的厚度介于约5μm及约40μm之间。

4.如权利要求1所述的静电夹盘组件，其中，该第一介电层的该基板支撑表面具有毛面修整或光面修整。

5.如权利要求1所述的静电夹盘组件，还包括：

底座，该底座接合至该第二介电层的该接合表面，其中，该接合表面与该底座之间的剥离强度介于约每线性英寸2磅与约每线性英寸14磅之间。

6.如权利要求5所述的静电夹盘组件，还包括：

黏接层，该黏接层的厚度介于约0.5密耳与约1密耳之间，该黏接层将该底座接合至该第二介电层的该接合表面，其中，该黏接层包括丙烯酸或环氧树脂黏接剂。

7.如权利要求1所述的静电夹盘组件，其中，该第二介电层由聚酰亚胺制造。

8.如权利要求1所述的静电夹盘组件，其中，该第一介电层以热塑方式接合至该第二介电层。

9.如权利要求1所述的静电夹盘组件，其中，该第一介电层由喷雾沉积的聚芳醚酮制造。

10.如权利要求1所述的静电夹盘组件，还包括：

光学透明的黏接剂，该光学透明的黏接剂将该第一介电层接合至该第二介电层。

11.如权利要求10所述的静电夹盘组件，其中，该电极熔合至该第二介电层。

12.一种静电夹盘组件，包括：

基板支撑底座；

第一介电层，由黏接层接合至该基板支撑底座，其中，该黏接层具有的剥离强度介于约每线性英寸2磅与约每线性英寸14磅之间；

第二介电层；以及

薄片电极，该薄片电极设置于该第一介电层与该第二介电层之间，其中，该第一介电层及该第二介电层接合在一起。

13.如权利要求12所述的静电夹盘组件，其中，该第一介电层由聚芳醚酮制造并具有第一表面和第二表面，该第二表面与该第一表面相对，其中，该第一表面具有毛面修整，该第二表面接合至该第二介电层。

14.如权利要求13所述的静电夹盘组件，其中，该薄片电极为铜片，该铜片的厚度介于约4μm与约40μm之间，厚度均匀性小于约10％。

15.如权利要求14所述的静电夹盘组件，其中，该第一介电层包括高纯度聚芳醚酮，该高纯度聚芳醚酮中以下金属中的每一者含量小于百万分之一：铝、锑、砷、钡、铍、铋、硼、镉、钙、铬、钴、铜、镓、锗、铪、铟、铁、铅、锂、汞、镁、锰、钼、镍、铌、磷、钾、铷、钪、硒、硅、银、钠、锶、硫、钽、碲、铊、锡、钛、钨、钒、钇、锌、锆。

16.如权利要求14所述的静电夹盘组件，还包括：

光学透明的黏接剂，该光学透明的黏接剂将该第一介电层接合至该第二介电层。

17.如权利要求16所述的静电夹盘组件，其中，该电极熔合至该第二介电层。

18.如权利要求17所述的静电夹盘组件，其中，该第二介电层包括聚酰亚胺，该第一介电层包括标准级或高纯度级的聚芳醚酮。

19.一种静电夹盘组件，包括：

挠性堆叠件，该挠性堆叠件包括：

第一介电层，该第一介电层包括聚芳醚酮，具有基板支撑表面；

第二介电层，该第二介电层具有接合表面，该第一介电层接合至该第二介电层；以及

电极，该电极电沉积于该第一介电层与该第二介电层之间。