[发明专利]切割、研磨硅片表面清洗设备

权利要求书

1.切割、研磨硅片表面清洗的设备，包括硅片、硅片的承载体、依次清洗硅片及完成相应清洗步骤的工位，所述的工位包括设有水和鼓泡超声溢流漂洗的一工位的清洗槽、设有酸溶液和鼓泡中超声清洗的二工位的清洗槽、设有碱性清洗剂超声清洗的三工位的清洗槽、设有碱性清洗剂超声清洗槽的四工位、设有去离子水超声溢流清洗的五至八工位的清洗槽，其特征在于：所述的二工位的清洗槽与三工位的清洗槽之间设有软化水超声溢流漂洗工位的清洗槽，五至八工位清洗槽中设有高频率超声波发生源；所述的超声清洗槽全部工位的实际有效使用面积内超声波功率为1.5 w/cm²，所述的硅片连同硅片的承载体从八工位去离子水清洗后进入设有高纯氮气温度为100~120℃的九工位离心甩干，而后下料。

2.如权利要求1所述的切割、研磨硅片表面清洗的设备，其特征在于：所述的鼓泡源为注入水中的高纯氮气。

3.如权利要求1所述的切割、研磨硅片表面清洗的设备，其特征在于：所述的高频率超声波发生源的五至八工位清洗槽，选用60～80KHZ的高频率超声波发生源换能器。

4.如权利要求1所述的切割、研磨硅片表面清洗的设备，其特征在于：所述的超声清洗槽全部工位的实际有效使用面积内超声波功率为1.5 w/cm²，均选用单头100W的高功率换能器作超声波发生源来实现。

5.如权利要求1所述的切割、研磨硅片表面清洗的设备，其特征在于：所述的五至八工位的清洗槽阶梯溢流，去离子水从八工位的清洗槽注入，后一工位的清洗槽高于前一工位的清洗槽，后一工位的清洗槽的去离子水溢流至前一工位的清洗槽，五工位的清洗槽去离子水溢流直接排放。

6.如权利要求5所述的切割、研磨硅片表面清洗的设备，其特征在于：所述的阶梯溢流阶梯差为20mm。

7.如权利要求1所述的切割、研磨硅片表面清洗的设备，其特征在于：所述的酸溶液为HF酸溶液。

8.如权利要求1所述的切割、研磨硅片表面清洗的设备，其特征在于：所述的酸溶液为3~5%的HF酸溶液。