[发明专利]一维过剩光载流子光子晶体无效
| 申请号： | 201110339781.3 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102354062A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 杨立峰;王亚非;左笑尘;周鹰;高椿明;王占平 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02F1/015 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 杨保刚;徐丰 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 过剩 载流子 光子 晶体 | ||
【权利要求书】：
1.一种一维过剩光载流子光子晶体，其特征在于：从左至右包括：激发光光源（1）、干涉光路（2）、半导体硅片（3）；
其中，所述激发光光源（1）的激发光经过干涉光路（2）后形成了激发光直线列干涉条纹照射至半导体硅片（3）上，在半导体硅片（3）上形成若干条并列的周期性的折射率凹槽（5）；
所述激发光光源（1）的光子能量大于半导体的禁带宽度。
2.根据权利要求1所述的一维过剩光载流子光子晶体，其特征在于：所述激发光光源（1）为半导体激光器、气体激光器或固体激光器。
3.根据权利要求1所述的一维过剩光载流子光子晶体，其特征在于：所述干涉光路（2）为迈克耳逊干涉仪或马赫-曾德尔干涉仪。
4.根据权利要求1或2或3所述的一维过剩光载流子光子晶体，其特征在于：所述直线列干涉条纹为等距直线列干涉条纹。
5.根据权利要求4所述的一维过剩光载流子光子晶体，其特征在于：所述半导体硅片（3）为重掺杂硅片。
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