[发明专利]降低外延薄膜缺陷的退火方法及利用该方法得到的外延薄膜

权利要求书

1.一种降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，对由气相沉积工艺成长在基材上的外延薄膜施以介于10MPa至6,000MPa之间的压力，并加热所述外延薄膜至低于所述外延薄膜的熔点的温度。

2.根据权利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述气相沉积工艺为金属有机化合物气相沉积工艺。

3.根据权利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述压力是利用均压法或单轴加压法施加于所述外延薄膜的。

4.根据权利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述基材选自由蓝宝石、碳化硅、氮化镓及硅组成的组。

5.根据权利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述外延薄膜为氮化镓或硅。

6.根据权利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述基材具有介于420μm至440μm之间的厚度。

7.根据权利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述外延薄膜具有介于2μm至7μm之间的厚度。

8.根据权利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述压力使用传压介质施加于所述外延薄膜，所述传压介质选自由石墨粉、六方晶系氮化硼粉、二硫化钼粉、滑石粉、叶腊石粉、石灰粉、白云石粉及食盐组成的组。

9.根据权利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述外延薄膜处于气氛环境，所述气氛环境选自由氮气、氮氢混合气、氩气、氩氢混合气以及氮氩混合气组成的组。

10.根据权利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述外延薄膜处于震荡环境。

11.根据权利要求1所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述外延薄膜在所述温度保持大于1分钟的退火时间。

12.根据权利要求11所述的降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，所述退火时间介于5分钟至10小时之间。

13.一种具有低缺陷密度的外延薄膜，其以气相沉积工艺成长在基材上，其特征在于，所述外延薄膜经退火处理，所述退火处理是加热所述外延薄膜至低于所述外延薄膜的熔点的温度并对所述外延薄膜施加介于10MPa至6,000MPa之间的压力。

14.根据权利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述气相沉积工艺为金属有机化合物气相沉积工艺。

15.根据权利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述压力是利用均压法或单轴加压法施加于所述外延薄膜的。

16.根据权利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述基材选自由蓝宝石、碳化硅、氮化镓及硅组成的组。

17.根据权利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述外延薄膜为氮化镓或硅。

18.根据权利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述基材具有介于420μm至440μm之间的厚度。

19.根据权利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述外延薄膜具有介于2μm至7μm之间的厚度。

20.根据权利要求13所述的具有低缺陷密度的外延薄膜，其特征在于，所述压力是使用传压介质施加于所述外延薄膜的，所述传压介质选自由石墨粉、六方晶系氮化硼粉、二硫化钼粉、滑石粉、叶腊石粉、石灰粉、白云石粉及食盐组成的组。