[发明专利]半导体器件制造方法和制造装置有效
| 申请号： | 201110340526.0 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102456603A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 浦野裕一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 装置 | ||
1.一种半导体器件制造方法，包括：
将半导体晶片夹持在紫外线透射板和按压构件之间的步骤，所述紫外线透射板被设置成紧贴半导体晶片的附着有紫外线可剥离带的表面，所述按压构件被设置成紧贴半导体晶片的另一表面；
使紫外光透过所述紫外线透射板并用所述紫外光来照射所述紫外线可剥离带的步骤；以及
从所述半导体晶片剥离所述紫外线可剥离带的步骤。
2.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，
所述夹持步骤是将所述半导体晶片放置在所述紫外线透射板或按压构件上并且通过使所述紫外线透射板和按压构件彼此相对移动来夹持所述半导体晶片的步骤。
3.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，
所述夹持步骤是通过将半导体晶片夹持在所述紫外线透射板和按压构件之间来校正所述半导体晶片的翘曲的步骤。
4.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，
所述半导体晶片的厚度为80μm或更大到140μm或更小。
5.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，
所述紫外光照射步骤是用1000mJ/cm2或更大的紫外光来照射所述紫外线可剥离带的步骤。
6.一种半导体器件制造装置，包括：
用紫外光来照射紫外线可剥离带的紫外线光源；
其上放置附着有所述紫外线可剥离带的半导体晶片的支承件；
设置在所述支承件的相反侧的校正所述半导体晶片的翘曲的校正构件；以及
使所述支承件和校正构件彼此相对移动的机构。
7.如权利要求6所述的半导体器件制造装置，其特征在于，
所述校正构件和支承所述半导体晶片的支承件中的与附着在所述半导体晶片上的紫外线可剥离带紧贴的一个由紫外线透射板构成，并且被设置成可从所述紫外线光源隔着所述紫外线透射板向所述紫外线可剥离带照射紫外线。
8.如权利要求7所述的半导体器件制造装置，其特征在于，
红外线截止滤波器设置在所述紫外线光源和紫外线透射板之间。
9.如权利要求6所述的半导体器件制造装置，其特征在于，
所述紫外线光源为荧光管型黑光源、金属卤化物灯、紫外发光二极管、或汞灯。
10.如权利要求6所述的半导体器件制造装置，其特征在于，
所述紫外线透射板为透射所述紫外光的耐热玻璃板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
