[发明专利]一种点接触背面场异质结太阳电池及其制造方法

权利要求书

1.一种点接触背面场异质结太阳电池，其特征在于：采用N型硅片作为衬底，硅衬底背表面依次沉积n/i硅薄膜、导电薄膜、绝缘薄膜和金属层；所述绝缘薄膜层有接触孔，所述金属电极与导电薄膜层通过接触孔形成点接触；所述硅衬底正表面沉积p/i硅薄膜层，在p型层表面有透明导电薄膜及在其上设置的金属电极。

2.如权利要求1所述的一种点接触背面场异质结太阳电池，其特征在于：所述硅薄膜为非晶硅、微晶硅、纳米硅或非晶锗硅薄膜之一。

3.如权利要求1所述的一种点接触背面场异质结太阳电池，其特征在于：所述n/i硅薄膜层，由本征硅薄膜层和n型硅薄膜层构成，所述p/i硅薄膜层，由本征硅薄膜层和p型硅薄膜层构成。

4.如权利要求1和3所述的一种点接触背面场异质结太阳电池，其特征在于：所述本征硅薄膜层起钝化层作用，n型硅薄膜层起背表面场作用，p型硅薄膜层与N型硅衬底形成pn结结构。

5.如权利要求1所述的一种点接触背面场异质结太阳电池，其特征在于：所述绝缘薄膜层有接触孔，接触孔可通过腐蚀、激光加热技术或等离子体刻蚀实现。

6.如权利要求1和5所述的一种点接触背面场异质结太阳电池，其特征在于：所述金属电极通过接触孔与导电薄膜层形成点接触。

7.如权利要求1-6所述的一种点接触背面场异质结太阳电池的制造方法，其步骤包括：1)用常规方法对N型硅衬底正表面作织构，并进行正常清洗；2)在所述N型硅衬底背表面用PECVD沉积n/i硅薄膜层，沉积顺序为本征层、n型掺杂层；3)在所述n型硅薄膜层上沉积导电薄膜层；4)在所述导电薄膜层表面沉积一层绝缘薄膜；5)在所述的绝缘薄膜层通过腐蚀、等离子体刻蚀或激光加热技术形成接触孔到导电薄膜层；6)在所述绝缘薄膜表面上沉积一层金属层，金属电极通过接触孔与导电薄膜层形成点接触；7)在所述硅衬底正表面用PECVD沉积p/i硅薄膜层，沉积顺序为本征层、p型层；8)在所述p型硅薄膜层表面沉积一层透明导电薄膜后，在所述透明导电薄膜上设置金属电极。