[发明专利]改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀性的方法

权利要求书

1.一种改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀性的方法，包括以下步骤：

提供晶圆，在所述晶圆表面形成栅极层；

在所述栅极层表面淀积氮氧化硅，形成电介质防反射涂层，所述电介质防反射涂层任意一处的厚度与目标厚度的偏差都小于2％；

在所述电介质防反射涂层上涂敷光刻胶，曝光形成栅极的光刻图案。

2.根据权利要求1所述的改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，所述电介质防反射涂层的厚度控制在内，N值控制在2.09～2.11内，K值控制在0.62～0.66内。

3.根据权利要求1或2所述的改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，所述淀积为化学气相淀积，反应气体包括SiH₄，N₂O以及He，SiH₄的流量为69～89sccm，N₂O的流量为130～230sccm，He的流量为1800～2200sccm，所述淀积的反应压力为4～7Torr，所述淀积的反应功率为80～120W。

4.根据权利要求3所述的改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，所述SiH₄的流量为75sccm。

5.根据权利要求3所述的改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，所述N₂O的流量为210sccm。

6.根据权利要求3所述的改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，所述He的流量为1900sccm。

7.根据权利要求3所述的改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，所述淀积的反应压力为5.5Torr。

8.根据权利要求3所述的改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，所述淀积的反应功率为95W。

9.根据权利要求3所述的改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，所述淀积使用的机台型号为Producer。

10.一种电介质防反射涂层，设于栅极层的表面，材质为氮氧化硅，其特征在于，所述电介质防反射涂层任意一处的厚度与目标厚度的偏差都小于2％。