[发明专利]一种接触式电容微加速度传感器无效

专利信息
申请号: 201110341475.3 申请日: 2011-11-02
公开(公告)号: CN102507979A 公开(公告)日: 2012-06-20
发明(设计)人: 刘妤;米林;王国超;杨鄂川 申请(专利权)人: 重庆理工大学
主分类号: G01P15/125 分类号: G01P15/125;B81B3/00
代理公司: 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 代理人: 张先芸
地址: 400054 重*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 一种 接触 电容 加速度 传感器
【权利要求书】:

1.一种接触式电容微加速度传感器,其特征在于:包括衬底(1)、固定支撑(2)、衬底电极(3)、绝缘薄膜(4)、敏感薄膜(5)、微梁(6)和惯性质量块(7);所述固定支撑(2)的上、下两端分别设有水平布置的衬底(1),上端的衬底(1)和下端的衬底(1)相互平行,两个衬底(1)的内侧均制作有衬底电极(3),衬底电极(3)上覆盖有绝缘薄膜(4);所述惯性质量块(7)通过其周边对称均布的四根微梁(6)悬挂于固定支撑(2)的中部,惯性质量块(7)的上、下两侧水平设有与其接触的敏感薄膜(5),敏感薄膜(5)的周边固定在固定支撑(2)上;所述固定支撑(2)上部的衬底电极(3)位于惯性质量块(7)的正上方,固定支撑(2)下部的衬底电极(3)位于惯性质量块(7)的正下方。

2.根据权利要求1所述的接触式电容微加速度传感器,其特征在于:所述微梁(6)呈“L”型结构,其一端连接在固定支撑(2)上,另一端连接在惯性质量块(7)的侧面正中部。

3.根据权利要求1或2所述的接触式电容微加速度传感器,其特征在于:所述敏感薄膜(5)的厚度T1控制在:0﹤T1 ≤10微米;所述绝缘薄膜(4)的厚度T2控制在:0﹤T2 ≤1微米。

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