[发明专利]有机发光显示装置及制造该有机发光显示装置的方法有效
申请号: | 201110341550.6 | 申请日: | 2011-11-02 |
公开(公告)号: | CN102544058A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 陈圣铉;金性澔 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
基板;
薄膜晶体管,被设置在所述基板上;
第一电极,被设置在所述基板上并被电连接至所述薄膜晶体管;
钝化层,覆盖所述薄膜晶体管并接触所述第一电极的上表面的预定区域;
中间层,被设置在所述第一电极上,包括有机发射层,并且接触所述钝化层的预定区域;和
第二电极,被设置在所述中间层上。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述中间层的边缘区域与所述第一电极分开。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中所述钝化层包括接触所述第一电极的突起,并且其中所述突起被设置在所述中间层与所述第一电极之间,以使所述中间层的所述边缘区域与所述第一电极分开。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述钝化层包括无机材料。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述钝化层包括氧化物或氮化物。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,进一步包括被设置在所述钝化层上的像素限定层,
其中所述像素限定层与所述中间层分开。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置,其中所述像素限定层包括有机材料。
8.根据权利要求6所述的有机发光显示装置,其中所述像素限定层具有小于所述钝化层的宽度的宽度,从而不超过所述钝化层的边缘。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中:
所述薄膜晶体管包括有源层、与所述有源层绝缘的栅电极、源电极以及漏电极;并且
所述第一电极被电连接至所述漏电极。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置,进一步包括:
栅绝缘层,被设置在所述有源层和所述栅电极之间;和
层间绝缘层,被设置在所述栅电极与所述源电极之间以及所述栅电极与所述漏电极之间,并且
其中所述栅绝缘层和所述层间绝缘层被所述钝化层覆盖,而不延伸出所述钝化层的边界。
11.根据权利要求9所述的有机发光显示装置,其中所述漏电极和所述第一电极通过连接部分被彼此连接。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置,其中所述连接部分由与用于形成所述源电极或所述漏电极的材料相同的材料形成。
13.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一电极接触所述基板。
14.一种制造有机发光显示装置的方法,该方法包括:
在基板上形成薄膜晶体管和被电连接至所述薄膜晶体管的第一电极;
形成钝化层,该钝化层覆盖所述薄膜晶体管并接触所述第一电极的上表面的预定区域;
在所述第一电极上形成中间层,所述中间层接触所述钝化层的预定区域,并且包括有机发射层;以及
在所述中间层上形成第二电极。
15.根据权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法,进一步包括在所述钝化层上形成像素限定层,其中所述像素限定层与所述中间层分开,并被设置在所述钝化层与所述第二电极之间,
其中所述形成钝化层包括:
沉积用于形成所述钝化层的材料,以及
通过使用所述像素限定层作为掩膜对所述材料进行图案化。
16.根据权利要求15所述的制造有机发光显示装置的方法,进一步包括在形成所述像素限定层之后并在形成所述中间层之前,执行等离子体处理工艺。
17.根据权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法,其中所述形成薄膜晶体管包括:
在所述基板上形成与所述第一电极分开的有源层;
形成与所述有源层绝缘的栅电极;以及
形成与所述栅电极分开并被连接到所述有源层的预定区域的源电极和漏电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星移动显示器株式会社,未经三星移动显示器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110341550.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种具有精密定位功能的装置
- 下一篇:充气轮胎
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的