[发明专利]场氧化物湿法刻蚀方法以及半导体器件

权利要求书

1.一种场氧化物湿法刻蚀方法，其特征在于包括：

氧化步骤，用于氧化以形成场氧化物；

紫外线固化步骤，用于利用紫外线对光刻胶进行固化；

场氧化物刻蚀步骤，用于对场氧化物进行刻蚀；

光刻胶去除步骤，用于去除光刻胶。

2.根据权利要求1所述的场氧化物湿法刻蚀方法，其特征在于还包括：在所述氧化步骤之前执行的预清洗步骤，用于对硅片进行预清洗。

3.根据权利要求1或2所述的场氧化物湿法刻蚀方法，其特征在于，在所述氧化步骤中形成9000A厚的场氧化物。

4.根据权利要求1或2所述的场氧化物湿法刻蚀方法，其特征在于，在所述氧化步骤之后执行的离子注入步骤注入的离子以进一步加强角度的控制。

5.根据权利要求1或2所述的场氧化物湿法刻蚀方法，其特征在于，在所述紫外线固化步骤中，紫外线功率为105mw，执行固化的机台的真空吸盘的温度为110摄氏度。

6.根据权利要求5所述的场氧化物湿法刻蚀方法，其特征在于，在所述紫外线固化步骤中，固化时间为10-35s。

7.一种半导体器件，所述半导体器件包括场氧化物，其特征在于所述场氧化物是由根据权利要求1至6之一所述的场氧化物湿法刻蚀方法刻蚀而成的。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于所述半导体器件是MOS晶体管。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于所述半导体器件是功率MOS晶体管。