[发明专利]采用硬掩膜形成隔离沟槽的方法有效
| 申请号： | 201110342149.4 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102386122B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 齐龙茵 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/308 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 硬掩膜 形成 隔离 沟槽 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种采用硬掩膜形成隔离沟槽的方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供半导体基板，在所述半导体基板的表面形成硬掩膜层；
在所述硬掩膜层的表面形成具有沟槽图案的掩膜层；
以所述具有沟槽图案的掩膜层为掩膜，在温度为20℃条件下，采用刻蚀气体刻蚀所述硬掩膜层使得所述半导体基板形成具有垂直侧壁的隔离沟槽，所述刻蚀气体包括六氟化硫、氧气和溴化氢。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述六氟化硫气体和氧气的流量比为0.5。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层为氮化硅或者氧化硅为硬掩膜层。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度小于3000埃。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体基板为硅衬底。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述隔离沟槽的深度大于1微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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