[发明专利]铜合金及使用其的锻制铜、电子元件及连接器以及铜合金的制造方法

权利要求书

1.铜合金，其为含有2.0～4.0质量％的Ti，总计含有0～0.2质量％作为第三元素的选自Mn、Fe、Mg、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Zr、Si、B和P中的1种或2种以上，剩余部分包含铜和不可避免的杂质的铜合金，其中，测定轧制面的X射线衍射强度时，

轧制面的X射线衍射强度I与(311)面及(200)面中的纯铜粉末的X射线衍射强度I₀之比(I/I₀)满足以下的关系式(1)：

{I/I₀(311)}/{I/I₀(200)}≤2.54…(1)，

且轧制面的X射线衍射强度I与(220)面及(200)面中的纯铜粉末的X射线衍射强度I₀之比(I/I₀)满足以下的关系式(2)：

15≤{I/I₀(220)}/{I/I₀(200)}≤95…(2)。

2.铜合金，其为含有2.0～4.0质量％的Ti，总计含有0.01～0.15质量％作为第三元素的选自Mn、Fe、Mg、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Zr、Si、B和P中的1种或2种以上，剩余部分包含铜和不可避免的杂质的铜合金，其中，测定轧制面的X射线衍射强度时，

轧制面的X射线衍射强度I与(311)面及(200)面中的纯铜粉末的X射线衍射强度I₀之比(I/I₀)满足以下的关系式(1)：

{I/I₀(311)}/{I/I₀(200)}≤2.54…(1)，

且轧制面的X射线衍射强度I与(220)面及(200)面中的纯铜粉末的X射线衍射强度I₀之比(I/I₀)满足以下的关系式(3)：

30≤{I/I₀(220)}/{I/I₀(200)}≤95…(3)。

3.锻制铜，其包含权利要求1或2所述的铜合金。

4.电子元件，其包含权利要求1或2所述的铜合金。

5.连接器，其具有权利要求1或2所述的铜合金。

6.权利要求1或2所述的铜合金的制造方法，其包含对于含有2.0～4.0质量％的Ti，总计含有0～0.2质量％作为第三元素的选自Mn、Fe、Mg、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Zr、Si、B和P中的1种或2种以上，剩余部分包含铜和不可避免的杂质的铜合金原料，

将所述铜合金原料在730～880℃下进行加热至比Ti的固溶限与添加量相同的固溶限温度高0～20℃的温度并骤冷的固溶化处理，

在固溶化处理之后，进行热处理，

在热处理之后以5～40％的加工率进行最终冷轧，

在最终冷轧之后进行时效处理。

7.如权利要求6所述的铜合金的制造方法，其中，所述热处理使电导率升高，在钛浓度(质量％)为[Ti]时，使得电导率的上升值C(％IACS)满足以下的关系式(4)：

0.5≤C≤(-0.50[Ti]²-0.50[Ti]+14)…(4)。