[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110342603.6 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102487079A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 尾崎史朗;中村哲一;多木俊裕;金村雅仁 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H02M5/10;H03F3/189 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郝新慧;张浴月 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种化合物半导体器件，包括：
化合物半导体层；以及
栅极，形成在所述化合物半导体层的上方，
其中，用氟来终止位于所述化合物半导体层的表面上的化合物半导体。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，
其中，在所述化合物半导体层的表面上的氮原子数和金属原子数的比率不小于0.84且不大于1。
3.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，
其中，在所述化合物半导体层的表面上的氧原子数与总的原子数的比率不小于0％且不大于6％。
4.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，
其中，形成所述栅极以使其被部分埋置在所述化合物半导体层中形成的沟槽中。
5.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，
其中，在所述化合物半导体层的上方经由栅绝缘膜形成所述栅极，以及
其中，所述栅绝缘膜包含选自硅、铝或铪、或者它们的任何组合的氧化物、氮化物或氮氧化物。
6.一种化合物半导体器件的制造方法，包括：
对化合物半导体层的表面进行氟处理以用氟来终止所述表面；以及
在所述化合物半导体层的上方形成栅极。
7.根据权利要求6所述的化合物半导体器件的制造方法，还包括：
在所述化合物半导体层的表面中形成沟槽；以及
在形成所述沟槽之后，用化学溶液对所述沟槽的内部进行湿蚀刻，以及
其中，在所述湿蚀刻之后进行所述氟处理。
8.根据权利要求6所述的化合物半导体器件的制造方法，还包括：
在所述化合物半导体层的表面中形成沟槽，
其中，在形成所述沟槽之后，通过用高浓度氢氟酸对所述沟槽的内部进行湿蚀刻来洗涤所述沟槽的内部，并且执行所述氟处理。
9.根据权利要求6所述的化合物半导体器件的制造方法，还包括：
其中，在所述氟处理之后，用水或水蒸汽洗涤所述化合物半导体层的表面。
10.根据权利要求6所述的化合物半导体器件的制造方法，还包括：
其中，在所述化合物半导体层的表面上的氮原子数和金属原子数的比率不小于0.84且不大于1。
11.根据权利要求6所述的化合物半导体器件的制造方法，还包括：
其中，在所述化合物半导体层的表面上的氧原子数与总的原子数的比率不小于0％且不大于6％。
12.根据权利要求6所述的化合物半导体器件的制造方法，还包括：
其中，在所述化合物半导体层的上方经由栅绝缘膜形成所述栅极，以及
其中，所述栅绝缘膜包含选自硅、铝或铪、或者它们的任何组合的氧化物、氮化物或氮氧化物。
13.一种电源电路，包括：
变压器；以及
把所述变压器夹在中间的高压电路和低压电路，
其中，所述高压电路包括晶体管，所述晶体管包括：
化合物半导体层；以及
栅极，形成在所述化合物半导体层的上方，
其中，用氟来终止所述化合物半导体层的表面上的化合物半导体。
14.一种高频放大器，用于放大输入的高频电压以输出放大后的高频电压，所述高频放大器包括：
晶体管，所述晶体管包括：
化合物半导体层；以及
栅极，形成在所述化合物半导体层的上方，
其中，用氟来终止所述化合物半导体层的表面上的化合物半导体。
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