[发明专利]一种用于液晶显示器的芯片接合结构无效
申请号: | 201110342759.4 | 申请日: | 2011-10-25 |
公开(公告)号: | CN102394231A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 郭豫杰;陈奕儒 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;G02F1/13 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 曾红 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 液晶显示器 芯片 接合 结构 | ||
1.一种用于液晶显示器的芯片接合结构,其特征在于,所述芯片接合结构包括:
一连接垫,所述连接垫包括:
一基底;
一栅极绝缘层,形成于所述基底上;
至少一保护层,覆盖于所述栅极绝缘层之上,且所述保护层具有一开口;以及
一第一导电层,设置于所述保护层以及所述开口的侧壁和底部;
一芯片,包括至少一导电凸块;以及
一异方向性导电膜(ACF,Anisotropic Conductive Film),当所述导电凸块下压所述异方向性导电膜时,所述导电凸块与所述第一导电层经由所述异方向性导电膜而电性导通,
其中,所述连接垫还包括一第二导电层和一中间介质层,所述第二导电层设置于所述保护层与所述中间介质层之间,以缩短所述第一导电层的平坦表面与所述开口底部间的高度差。
2.根据权利要求1所述的芯片接合结构,其特征在于,所述第二导电层为一透明导电层。
3.根据权利要求1所述的芯片接合结构,其特征在于,所述第二导电层为一铟锡氧化层(IZO)或一铟锌氧化层(IZnO)。
4.根据权利要求1所述的芯片接合结构,其特征在于,所述第二导电层还用于桥接所述中间介质层和所述栅极绝缘层上的栅电极线。
5.根据权利要求1所述的芯片接合结构,其特征在于,所述中间介质层的厚度为0.32微米。
6.根据权利要求1所述的芯片接合结构,其特征在于,所述导电凸块为一金凸块(gold bump)。
7.根据权利要求1所述的芯片接合结构,其特征在于,所述至少一保护层包括一第一保护层和一第二保护层,其中,所述第一保护层设置于所述栅极绝缘层的上方,以及所述第二保护层设置于所述第一导电层的下方。
8.根据权利要求7所述的芯片接合结构,其特征在于,所述第一保护层和所述第二保护层之间还设有一半导体层。
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