[发明专利]一种SiGe HBT工艺中的PIS电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种SiGe HBT工艺中的PIS电容器，其特征是，包括：硅衬底、浅沟槽隔离、P阱、P型重掺杂区、氧化层、锗硅外延层、隔离侧墙、接触孔和金属线，所述硅衬底上具有浅沟槽隔离和P阱，所述P阱上具有P型重掺杂区，所述浅沟槽隔离与P阱、P型重掺杂区相邻，所述P型重掺杂区上具有氧化层，所述氧化层上具有锗硅外延层，所述隔离侧墙与氧化层、锗硅外延层相邻，所述P阱和锗硅外延层通过接触孔引出连接金属线作为电容器的两端。

2.如权利要求1所述的PIS电容器，其特征是：所述P阱中具有硼。

3.如权利要求1所述的PIS电容器，其特征是：所述P型重掺杂区中具有硼或氟化硼。

4.如权利要求1所述的PIS电容器，其特征是：所述多晶硅外延层中具有硼或氟化硼。

5.如权利要求1所述的PIS电容器，其特征是：所述氧化层厚度为5纳米～30纳米。

6.一种SiGe HBT工艺中的PIS电容器的制作方法，其特征是，包括：

(1)在硅衬底上注入形成P阱；

(2)制作浅沟槽隔离；

(3)P型重掺杂注入形成P型重掺杂区；

(4)沉积氧化层；

(5)生长锗硅外延层；

(6)刻蚀，隔离墙生成；

(7)将P阱和锗硅外延层通过接触孔引出连接金属线。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征是：实施步骤(1)时，注入杂质为硼，能量为50Kev～500Kev，剂量为5e11cm^-2～5e13cm^-2。

8.如权利要求6所述的制作方法，其特征是：实施步骤(3)时，注入杂质为硼或者氟化硼，能量为5Kev～50Kev，剂量为5e14cm^-2～1e17cm^-2。

9.如权利要求6所述的制作方法，其特征是：实施步骤(5)时，注入杂质为硼或者氟化硼，能量条件为5Kev～100Kev、剂量为1e14cm^-2～1e17cm^-2。