[发明专利]具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法

权利要求书

1.一种具有高效复合中心的SOI材料衬底，包括一硅衬底，一埋氧层和一具有第一掺杂类型的顶层硅层，其特征在于，所述顶层硅层中还掺有重金属元素。

2.根据权利要求1所述的具有高效复合中心的SOI材料衬底，其特征在于，所述重金属元素为金、铂、钯中任意一种或几种的混合物。

3.根据权利要求1所述的具有高效复合中心的SOI材料衬底，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型掺杂或P型掺杂。

4.根据权利要求1所述的具有高效复合中心的SOI材料衬底，其特征在于，所述SOI材料衬底采用注氧隔离技术、键合技术、注氧键合技术、键合腐蚀技术与智能剥离技术中任意一种技术制备。

5.一种如权利要求1所述的具有高效复合中心的SOI材料衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入重金属元素；在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入第一掺杂类型的杂质并在第一温度下退火。

6.根据权利要求5所述的具有高效复合中心的SOI材料衬底制备方法，其特征在于，所述在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入重金属元素进一步包括如下步骤：将SOI材料衬底浸润在一含有重金属元素的溶液中停留一时间；从所述含有重金属元素的溶液中取出SOI材料衬底，并在第二温度下退火。

7.根据权利要求6所述的具有高效复合中心的SOI材料衬底制备方法，其特征在于，所述SOI材料衬底浸润在一含有重金属元素的溶液的时间范围为5min-120min。

8.根据权利要求5所述的具有高效复合中心的SOI材料衬底制备方法，其特征在于，所述在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入重金属元素进一步包括如下步骤：在SOI材料衬底的顶层硅层的裸露表面涂覆一层含有重金属元素的液体；在第二温度下退火。

9.根据权利要求5所述的具有高效复合中心的SOI材料衬底制备方法，其特征在于，所述在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入重金属元素进一步包括如下步骤：在SOI材料衬底的顶层硅层的裸露表面附近溅射含有重金属元素的等离子体；在第二温度下退火。

10.根据权利要求6或8或9所述的具有高效复合中心的SOI材料衬底制备方法，其特征在于，所述第一温度的范围均为800℃-1200℃，所述第二温度的范围为800℃-1200℃。

11.根据权利要求6或8中所述的具有高效复合中心的SOI材料衬底制备方法，其特征在于，所述重金属元素为金、铂、钯中的任意一种或几种的混合物。

12.根据权利要求6或8中所述的具有高效复合中心的SOI材料衬底制备方法，其特征在于，所述含有重金属元素的液体为氯铂酸铵溶液或氯金酸溶液。

13.根据权利要求5所述的具有高效复合中心的SOI材料衬底制备方法，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型掺杂或P型掺杂。