[发明专利]高速调制光发射器件非线性谐波特性的光量化器有效

专利信息
申请号: 201110343445.6 申请日: 2011-11-03
公开(公告)号: CN102436113A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 刘建国;王佳胜;王礼贤;祝宁华 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G02F1/35 分类号: G02F1/35;G02F7/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 高速 调制 发射 器件 非线性 谐波 特性 量化
【说明书】:

技术领域

发明涉及微波光子学领域,更具体的说是用于模数转换的高速调制光发射器件非线性谐波特性的光量化器。

背景技术

高速、高精度量化器是雷达、高性能计算、通信、高速仪器等领域必不可少的核心器件。随着近年来信息技术的高速发展,传统的依靠电子学技术的量化器尽管一直在发展,但由于其受限于带宽低、比较器判决模糊等因素的限制,发展的非常缓慢,很难满足需求。光量化器较传统的电学量化器有具有分辨率高、采样速率快、稳定性高、抗电磁干扰等有点,近几年倍受关注。近年来提出了很多光量化器结构,例如:采用零色散光纤与反常色散光纤对实现光量化,利用非平衡马赫-曾德尔调制器与滤波器阵列等。本发明提供了一种基于高速调制光发射器件非线性谐波特性的光量化器。

发明内容

本发明的目的在于,提供一种高速调制光发射器件非线性谐波特性的光量化器,其是利用高速调制光发射器件非线性谐波特性来实现一种用于高速、高精度模数转换的光量化器。

为达到上述目的,本发明提供一种一种基于高速调制光发射器件非线性谐波特性的高速光量化器,包括:

一高速微波电信号源;

一采样光源,该采样光源接收高速微波电信号源的信号;

一强度调制器,该强度调制器的输入端与采样光源的输出端连接;

一高速光电探测器,该高速光电探测器的输入端与强度调制器的输出端连接;

一待测模拟微波信号源,该待测模拟微波信号源向强度调制器发送信号;

一线性电放大器,该线性电放大器接收高速光电探测器的信号;

一高速调制光发射器件,该高速调制光发射器件接收线性电放大器的信号;

一波导阵列光栅,该波导阵列光栅的输入端与高速调制光发射器件的输出端连接;

一并行高速光探测阵列,该并行高速光探测阵列的输入端与波导阵列光栅的输出端连接。

其中采样光源是级联的激光器与强度调制器,或是高速锁模激光器,或是基于增益开关的高速脉冲激光器。

其中强度调制器是一个高消光比的铌酸锂强度调制器,其带宽不小于采样光源的带宽。

其中高速光电探测器的带宽不小于采样光源的带宽。

其中待测模拟微波信号源所发射微波信号的带宽不大于采样光源2带宽的一半。

其中线性电放大器的带宽不小于采样光源的带宽。

其中高速调制光发射器件为直接调制分布反馈模拟激光器,或是级联的激光器与电吸收调制器,或是级联的激光器与铌酸锂强度调制器,他们的带宽不小于采样光源的带宽。

其中波导阵列光栅的信道间隔与高速微波电信号源的带宽相等。

其中并行高速光探测器阵列是集成器件,或是分立器件,其单个探测器单元的带宽不小于采样光源的带宽。

本发明的有益效果是:此光量化器除具有一般光量化器的分辨率高、采样速率快和稳定性高等优点外,还具有结构简单、线性度高,易于集成等优点。

附图说明

为进一步说明本发明的技术内容,以下结合附图对本发明作进一步说明,其中:

图1是本发明“高速调制光发射器件非线性谐波特性的的光量化器”的结构框图。

图2是高速调制光发射器件被微波信号调制后的输出光谱示意图。

图3是基于高速调制光发射器件非线性谐波特性的光量化器各阶光谱光功率的变化规律和量化示意图。

具体实施方式

本发明提供一种基于高速调制光发射器件非线性谐波特性的高速光量化器,包括:

一高速微波电信号源1;

一采样光源2,该采样光源2是级联的激光器与强度调制器,或是高速锁模激光器,或是基于增益开关的高速脉冲激光器,该采样光源2接收高速微波电信号源1的信号;

一强度调制器3,该强度调制器3的输入端通过保偏光纤与采样光源2的输出端连接,该强度调制器3是一个高消光比的铌酸锂强度调制器,其带宽不小于采样光源2的带宽;

一高速光电探测器4,该高速光电探测器4的输入端与强度调制器3的输出端连接,该高速光电探测器4的带宽不小于采样光源2的带宽;

一待测模拟微波信号源5,该待测模拟微波信号源5向强度调制器3发送信号,通过强度调制器3,对光脉冲序列进行强度调制,完成对该待测模拟微波信号源5输出信号的采样。该待测模拟微波信号源5所发射微波信号的带宽不大于采样光源2带宽的一半;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110343445.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top