[发明专利]一种光谱微测辐射热计

权利要求书

1. 一种光谱微测辐射热计，包括硅衬底（11）、支撑膜（12）、第一金属电接触盘（14）和第金属二电接触盘（141），硅衬底（11）与支撑膜（12）间的四周相连且二者间有热隔离空腔（10），与热隔离空腔（10）相应的支撑膜（12）外表面上有红外吸收层（20），红外吸收层（20）两边分别有第一薄膜电极（13）和第二薄膜电极（131），该第一薄膜电极（13）和第二薄膜电极（131）分别与第一金属电接触盘（14）和第二金属电接触盘（141）相连；其特征在于所述红外吸收层（20）由底层导电层（21）、中间热敏层（22）和顶层导电层（23）组成，所述底层导电层（21）和顶层导电层（23）分别与第二薄膜电极（131）和第一薄膜电极（13）相连。

2.根据权利要求1所述的光谱微测辐射热计，其特征在于与支撑膜（12）相邻的硅衬底（11）一面中间有凹坑，以便在凹坑与支撑膜（12）间形成热隔离空腔（10）。

3.根据权利要求1所述的光谱微测辐射热计，其特征在于所述支撑膜（12）为罩形支撑膜，以便在罩形支撑膜与硅衬底（11）间形成热隔离空腔（10）；第一金属电接触盘（14）和第二金属电接触盘（141）分别连接在支撑膜（12）与硅衬底（11）的不同侧的边沿之间。

4.根据权利要求1所述的光谱微测辐射热计，其特征在于底层导电层（21）为掺锡氧化铟薄膜、高掺杂硅薄膜和氮化钛薄膜中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的光谱微测辐射热计，其特征在于顶层导电层（23）为掺锡氧化铟薄膜、高掺杂硅薄膜和氮化钛薄膜中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的光谱微测辐射热计，其特征在于底层导电层（21）为掺锡氧化铟，该掺锡氧化铟的电阻率为120μΩcm，厚度为150nm；中间热敏层（22）为氧化钒，该氧化钒的电阻率为31μΩcm，厚度为700nm；顶层导电层（23）为为掺锡氧化铟，该掺锡氧化铟的电阻率为800μΩcm，厚度为25nm。

7.根据权利要求1所述的光谱微测辐射热计，其特征在于底层导电层（21）为金膜，该金膜的电阻率为10μΩcm，厚度为100nm；中间热敏层（22）为氧化钒，该氧化钒的电阻率为31μΩcm，厚度为700nm；顶层导电层（23）为为金膜，该金膜的电阻率为10μΩcm，厚度为5nm。