[发明专利]一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110343687.5 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102400098A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 余洲;晏传鹏;张勇;李珂;刘斌;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学;成都欣源光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 宽度 可调 硒化物 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法，所述的硒化物薄膜为非晶态，组成通式为InxSe1-x，0.3≤x≤0.6，其作法是：对结晶态的In2Se3靶进行射频磁控溅射，沉积的薄膜即为所述的硒化物薄膜；调节溅射过程中的工艺参数即可调节制备物的禁带宽度。
2.根据权利要求1所述的一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法，其特征在于：所述的调节溅射过程中的工艺参数为溅射功率密度、工作气压、衬底温度、溅射时间；其中，溅射功率密度2～5W/cm2，工作气压0.1～8.0Pa，衬底温度25～400℃，溅射时间5～45min。
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