[发明专利]等离子体掺杂方法以及装置

权利要求书

1.一种等离子体掺杂方法，其中，

通过由等离子体的热引起的升华或者由等离子体中的活性种引起的化学蚀刻，从固体产生原子或者分子，通过对表面是半导体的基材(2)照射所述等离子体，从而向所述半导体掺杂所述原子或者分子的同时，将所述半导体加热到可活性化温度从而活性化。

2.根据权利要求1所述的等离子体掺杂方法，其中，

所述原子或者分子含有硼、铝、磷和砷中的任意一种，所述半导体是硅。

3.根据权利要求1所述的等离子体掺杂方法，其中，

所述等离子体是通过使包含氢的气体电离而得到的等离子体。

4.根据权利要求1所述的等离子体掺杂方法，其中，

在产生所述等离子体的空间内导入含有所述原子或者分子的粉状体。

5.根据权利要求1所述的等离子体掺杂方法，其中，

一边向筒状室(7)内供应气体一边从所述室内形成的缝隙状的开口部(12)向所述基材喷出气体，并且对线圈(3)供应高频电力，从而使所述室内产生所述等离子体，

一边在与所述开口部的纵向垂直的方向上使所述室和所述基材相对移动，一边处理所述基材的表面。

6.根据权利要求1所述的等离子体掺杂方法，其中，

划定产生所述等离子体的空间(7)的部件的一部分，由含有所述原子或者分子的材料构成，对所述半导体部分地掺杂所述原子或者分子。

7.根据权利要求1所述的等离子体掺杂方法，其中，

划定产生所述等离子体的空间(7)的部件的一部分，由含有所述原子或者分子的材料构成，对所述半导体部分地掺杂所述原子或者分子，并且，所述部件的与所述一部分不同的一部分由含有与所述原子或者分子不同的原子或者分子的材料构成，对所述半导体在与所述一部分不同的一部分掺杂与所述原子或者分子不同的原子或者分子。

8.根据权利要求1所述的等离子体掺杂方法，其中，

划定产生所述等离子体的空间(7)的部件的大致全部，由含有所述原子或者分子的材料构成。

9.一种等离子体掺杂装置，具备：

筐体(5)，其形成具有缝隙状的开口部(12)的筒状室(7)，并且所述开口部的纵向和所述筒状室的纵向平行配置；

气体供应装置(90、97)，其向所述室内供应气体；

线圈(3)，其使所述室内发生高频电磁场；

高频电源(91)，其对所述线圈供应高频电力；

基材载置台(1)，其与所述开口部对置，并且载置基材(2)；

移动装置(94)，其能够使所述室和所述基材载置台在与所述开口部的纵向垂直的方向上相对移动；以及

长条部件(E)，其设置在所述筒状室的内壁面的至少一部分上、或者所述筒状室与所述基材载置台之间，沿所述筒状室的纵向延伸，并且由含有掺杂用的原子或者分子的材料构成，

并且，在构成所述基材的表面的半导体中掺杂所述原子或者分子。

10.根据权利要求9所述的等离子体掺杂装置，其中，

所述线圈是电磁铁线圈，所述线圈的延伸方向和所述开口部的纵向平行配置。

11.根据权利要求9所述的等离子体掺杂装置，其中，

所述线圈，通过与所述筒状室的纵向垂直地配置的导体联片(23)连接与所述筒状室的纵向平行地配置的多个导体棒(3C)而形成，

所述导体棒插入到电介质筒(4)内，

所述电介质筒的一部分露出到所述筒状室内部的空间中。

12.根据权利要求9所述的等离子体掺杂装置，其中，

所述筒状室的内壁面的一部分由含有所述原子或者分子的材料构成，所述筒状室的内壁面中与所述一部分不同的一部分由含有与所述原子或者分子不同的原子或者分子的材料构成。

13.根据权利要求9所述的等离子体掺杂装置，其中，

所述筒状室的内壁面的大致全部由含有所述原子或者分子的材料构成。

14.根据权利要求9～13中任意一项所述的等离子体掺杂装置，其中，

从所述高频电源对所述线圈供应高频电力，通过由等离子体的热引起的升华或者由等离子体中的活性种引起的化学蚀刻，从固体产生所述原子或者分子，通过对表面是半导体的基材(2)照射所述等离子体，从而向所述半导体掺杂所述原子或者分子的同时，将所述半导体加热到可活性化温度从而活性化。