[发明专利]非线性光学材料ZnTeMoO6及其晶体的生长方法无效
| 申请号： | 201110344157.2 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102534793A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 罗军华;金成国;孙志华;陈天亮;洪茂椿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B9/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非线性 光学材料 zntemoo sub 及其 晶体 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.非线性光学材料ZnTeMoO6，其特征在于：其粉末倍频效应为2×KTP，其晶体透过范围为：0.4μm-22.2μm，具备相位匹配能力。
2.根据权利要求1所述的非线性光学材料ZnTeMoO6晶体，其特征在于：晶体呈薄片状，尺寸最大为5mm×4mm×1mm。
3.根据权利要求1所述的非线性光学材料ZnTeMoO6的多晶粉体的制备方法，其特征在于：以ZnO、TeO2和MoO3为原料，采用固相反应合成。
4.根据权利要求1所述的非线性光学材料ZnTeMoO6的晶体的生长方法，其特征在于：生长原料为ZnTeMoO6粉体、TeO2和MoO3，或ZnO、TeO2和MoO3，以TeO2和MoO3作为助溶剂，采用自发成核生长。
5.根据权利要求4所述的生长方法，其特征在于，所述生长条件为：熔体均化恒温时间为25h，晶体的生长阶段降温速率为2-10℃/h，晶体退火速率为20-30℃/h。
6.根据权利要求4或5所述的生长方法，其特征在于：生长原料中ZnTeMoO6粉体、TeO2和MoO3，或ZnO、TeO2和MoO3的摩尔比分别为1∶3∶3或1∶4∶4。
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