[发明专利]具有高反向阻断性能肖特基二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种具有高反向阻断性能肖特基二极管，其管芯构造组成：包括重掺杂硅晶衬底(5)，重掺杂硅晶衬底上形成作为漂移区的轻掺杂外延层(4)，漂移区内制有P型结构区，其特征在于P型结构区是由P型环(3)和均匀间隔分布于P型环内外延层的P型点阵(7)构成，P型环内的外延层表面具有肖特基势垒接触的金属层(8)，P型结构区表面具有欧姆金属接触的金属层(9)，管芯上、下表面制作引出电极，P型环外缘设有钝化层(2)。

2.根据权利要求1所述的具有高反向阻断性能肖特基二极管，其特征在于P型点阵的各相邻P型点最近处之间的间距为5-10um。

3.根据权利要求1所述的具有高反向阻断性能肖特基二极管，其特征在于肖特基接触金属层(8)为0.5um。

4.根据权利要求1所述的具有高反向阻断性能肖特基二极管，其特征在于欧姆接触的金属层(9)厚度为0.5um，

5.用于得到权利要求1所述的具有高反向阻断性能肖特基二极管的制造方法，其特征在于其方法是：重掺杂硅晶衬底上外延工艺生长轻掺杂外延层，经氧化及光刻在外延层有源区分割出包括P型环和P型环内的P型点阵的P型结构区窗口，离子注入形成PN结，在表面制有第一次金属化形成欧姆金属接触的金属层(9)，在该金属层光刻出与外延层有源区相对应的窗口，第二次金属化形成肖特基接触金属层(8)，制成管芯，管芯上、下外表面制有金属引出电极。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于肖特基接触金属层(8)厚度为0.5um。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于欧姆接触金属层(9)的制成金属材料选用Ti、Al、Ni或者含Ti、Al、Ni的合金。