[发明专利]氧化钨阻变存储器的制备方法

权利要求书

1.一种氧化钨阻变存储器的制备方法，其特征在于：在形成氧化钨阻变存储单元后，包括步骤：

步骤一、采用淀积工艺在所述氧化钨阻变存储单元的顶部表面和侧面形成氮硅化合物牺牲层；

步骤二、对所述氮硅化合物牺牲层进行回蚀刻处理，将位于所述氧化钨阻变存储单元的顶部表面的所述氮硅化合物牺牲层去除，在所述氧化钨阻变存储单元的侧面形成由所述氮硅化合物牺牲层组成的侧壁阻挡层；

步骤三、形成顶层金属层，所述顶层金属层和所述氧化钨阻变存储单元的顶部表面接触；所述侧壁阻挡层将所述顶层金属层和位于所述氧化钨阻变存储单元底部的金属层隔离。

2.如权利要求1所述的氧化钨阻变存储器的制备方法，其特征在于：形成氧化钨阻变存储单元的步骤为：

形成一绝缘介质层；

采用光刻刻蚀工艺在要形成所述氧化钨阻变存储单元的区域形成通孔；

在所述通孔的侧壁表面和底部表面形成钛氮化合物阻挡层；

在所述通孔内淀积钨将所述通孔完全填充；

将位于所述通孔的顶部的部分所述钨氧化形成所述氧化钨阻变存储单元，所述钨氧化后会变厚，使得形成的所述氧化钨阻变存储单元的顶部高于所述绝缘介质层表面；所述氧化钨阻变存储单元的底部和所述钨接触，所述氧化钨阻变存储单元的位于所述绝缘介质层表面以下的侧面和所述钛氮化合物阻挡层接触，所述钛氮化合物阻挡层和后续形成的所述顶层金属层通过所述侧壁阻挡层隔离。

3.如权利要求2所述的氧化钨阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述绝缘介质层形成于形成有底部电路图形的基底上，所述底部电路图形是在所述基底上淀积一层底层金属层、或淀积一层底层硅，再通过光刻刻蚀工艺形成，所述底部电路图形和形成于所述通孔底部的所述钛氮化合物阻挡层接触连接。

4.如权利要求2所述的氧化钨阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述钨氧化采用热氧化工艺进行氧化，所述热氧化的温度为400℃～800℃，氧化后形成的所述氧化钨阻变存储单元的厚度为200埃～2000埃。

5.如权利要求2所述的氧化钨阻变存储器的制备方法，其特征在于：接触孔和所述氧化钨阻变存储单元集成在一起形成，集成所述接触孔时，在步骤二之后、步骤三之前还包括步骤：采用光刻刻蚀工艺对要形成所述氧化钨阻变存储单元的区域用光刻抗蚀剂保护起来、对要形成所述接触孔的区域暴露出来；以光刻抗蚀剂为掩模，采用干法刻蚀工艺将形成于所述接触孔的区域的所述氧化钨阻变存储单元和所述侧壁阻挡层去除，所述接触孔仅由填充于所述通孔中的所述钨及所述钛氮化合物阻挡层组成。